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なります。正確な仕様は、デー
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BYG23MHM3_A/I | |
|---|---|
DigiKey製品番号 | BYG23MHM3_A/I-ND - テープ＆リール（TR） |
メーカー | |
メーカー製品番号 | BYG23MHM3_A/I |
商品概要 | DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC |
メーカーの標準リードタイム | 10 週間 |
客先参照品番 | |
詳細な説明 | ダイオード 1000 V 1.5A 面実装 DO-214AC（SMA） |
データシート | データシート |
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カテゴリ | 逆回復時間（trr） 75 ns |
メーカー | 電流 - Vr印加時の逆方向漏れ 5 µA @ 1000 V |
梱包形態 テープ＆リール（TR） | グレード 自動車 |
部品状況 アクティブ | 認定 AEC-Q101 |
技術 | 取り付けタイプ |
電圧 - DC逆方向（Vr）（最大） 1000 V | パッケージ/ケース |
電流 - 平均整流（Io） 1.5A | サプライヤデバイスパッケージ DO-214AC（SMA） |
電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大） 1.7 V @ 1 A | 動作温度 - ジャンクション -55°C～150°C |
速度 高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io） | ベース品番 |
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関連リソース
代替品リスト（7）
| 品番 | メーカー | 在庫数量 | DigiKey製品番号 | 単価 | 代替品のタイプ |
|---|---|---|---|---|---|
| BYG23M-E3/TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 142,934 | BYG23M-E3/GICT-ND | ¥111.00000 | パラメータ等価 |
| BYG23M-E3/TR3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 39,893 | BYG23M-E3/TR3GICT-ND | ¥111.00000 | パラメータ等価 |
| BYG23M-M3/TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | BYG23M-M3/TR-ND | ¥23.68148 | パラメータ等価 |
| BYG23M-M3/TR3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 11,346 | 112-BYG23M-M3/TR3CT-ND | ¥141.00000 | パラメータ等価 |
| BYG23MHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 4,081 | 112-BYG23MHE3_A/HCT-ND | ¥141.00000 | パラメータ等価 |
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テープ＆リール（TR）
| 数量 | 単価 | 請求価格 |
|---|---|---|
| 15,000 | ¥31.27413 | ¥469,112 |
| 単価（消費税抜き）: | ¥31.27413 |
|---|---|
| 単価（消費税込み）: | ¥34.40154 |
