Name: RN2102MFV,L3F(CT
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-RN2102MFVL3F(TR-ND
Price: 30.8 JPY
Availability: InStock

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RN2102MFV,L3F(CT
DigiKey製品番号	264-RN2102MFVL3F(TR-ND - テープ＆リール（TR） 264-RN2102MFVL3F(CT-ND - カットテープ（CT） 264-RN2102MFVL3F(DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
メーカー製品番号	RN2102MFV,L3F(CT
商品概要	TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
メーカーの標準リードタイム	12 週間
客先参照品番
詳細な説明	トランジスタ - バイポーラ（BJT） - シングル、プリバイアス PNP - プリバイアス 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW 面実装 VESM
データシート	データシート

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタバイポーラ（BJT）シングル、プリバイアスバイポーラトランジスタ	Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小） 50 @ 10mA、5V
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage	Vce飽和（最大） @ lb、Ic 300mV @ 500µA、5mA
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	電流 - コレクタ遮断（最大） 500nA
部品状況アクティブ	周波数 - トランジション 250 MHz
トランジスタタイプ PNP - プリバイアス	電力 - 最大 150 mW
電流 - コレクタ（Ic）（最大） 100 mA	取り付けタイプ面実装
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） 50 V	パッケージ/ケース SOT-723
抵抗器を含む R1とR2	サプライヤデバイスパッケージ VESM
抵抗 - ベース（R1） 10 kOhms	ベース品番 RN2102
抵抗 - エミッタベース（R2） 10 kOhms