Name: RN1106MFV,L3F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: RN1106MFVL3FTR-ND
Price: 29.7 JPY
Availability: InStock

写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

RN1106MFV,L3F
DigiKey製品番号	RN1106MFVL3FTR-ND - テープ＆リール（TR） RN1106MFVL3FCT-ND - カットテープ（CT） RN1106MFVL3FDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
メーカー製品番号	RN1106MFV,L3F
商品概要	TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
メーカーの標準リードタイム	42 週間
客先参照品番
詳細な説明	トランジスタ - バイポーラ（BJT） - シングル、プリバイアス NPN - プリバイアス 50 V 100 mA 150 mW 面実装 VESM
データシート	データシート
EDA/CADモデル	RN1106MFV,L3F モデル

製品属性

類似製品を絞り込む

空の属性項目を表示する

カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタバイポーラ（BJT）シングル、プリバイアスバイポーラトランジスタ	抵抗 - エミッタベース（R2） 47 kOhms
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage	Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小） 80 @ 10mA、5V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vce飽和（最大） @ lb、Ic 300mV @ 500µA、5mA
部品状況アクティブ	電流 - コレクタ遮断（最大） 500nA
トランジスタタイプ NPN - プリバイアス	電力 - 最大 150 mW
電流 - コレクタ（Ic）（最大） 100 mA	取り付けタイプ面実装
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） 50 V	パッケージ/ケース SOT-723
抵抗器を含む R1とR2	サプライヤデバイスパッケージ VESM
抵抗 - ベース（R1） 4.7 kOhms	ベース品番 RN1106