PMEG6010AESB315 NXP USA Inc. | シングルダイオード

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カテゴリディスクリート半導体製品ダイオード整流器シングルダイオード	逆回復時間（trr） 2.4 ns
メーカー NXP USA Inc.	電流 - Vr印加時の逆方向漏れ 650 µA @ 60 V
梱包形態バルク	Vr、F印加時の静電容量 20pF @ 10V、1MHz
部品状況アクティブ	取り付けタイプ面実装
技術ショットキー	パッケージ/ケース 2-XDFN
電圧 - DC逆方向（Vr）（最大） 60 V	サプライヤデバイスパッケージ DSN1006-2
電流 - 平均整流（Io） 1A	動作温度 - ジャンクション 150°C
電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大） 625 mV @ 1 A	ベース品番 PMEG6010
速度高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）

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PMEG6010AESB315