Name: MMUN2113LT1G
Brand: onsemi
SKU: MMUN2113LT1GOSTR-ND
Price: 30.8 JPY
Availability: InStock

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購入可能な代替品:

アップグレード品

Infineon Technologies

在庫あり: 143

単価 : ¥0.38000

類似

Rohm Semiconductor

在庫あり: 36,756

単価 : ¥0.24000

類似

Nexperia USA Inc.

在庫あり: 4,580

単価 : ¥0.13000

類似

Toshiba Semiconductor and Storage

在庫あり: 3,000

単価 : ¥0.27000

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MMUN2113LT1G
DigiKey製品番号	MMUN2113LT1GOSTR-ND - テープ＆リール（TR） MMUN2113LT1GOSCT-ND - カットテープ（CT） MMUN2113LT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	onsemi
メーカー製品番号	MMUN2113LT1G
商品概要	TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
メーカーの標準リードタイム	44 週間
客先参照品番
詳細な説明	トランジスタ - バイポーラ（BJT） - シングル、プリバイアス PNP - プリバイアス 50 V 100 mA 246 mW 面実装 SOT-23-3（TO-236）
データシート	データシート
EDA/CADモデル	MMUN2113LT1G モデル

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタバイポーラ（BJT）シングル、プリバイアスバイポーラトランジスタ	抵抗 - エミッタベース（R2） 47 kOhms
メーカー onsemi	Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小） 80 @ 5mA、10V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vce飽和（最大） @ lb、Ic 250mV @ 300µA、10mA
部品状況アクティブ	電流 - コレクタ遮断（最大） 500nA
トランジスタタイプ PNP - プリバイアス	電力 - 最大 246 mW
電流 - コレクタ（Ic）（最大） 100 mA	取り付けタイプ面実装
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） 50 V	パッケージ/ケース TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
抵抗器を含む R1とR2	サプライヤデバイスパッケージ SOT-23-3（TO-236）
抵抗 - ベース（R1） 47 kOhms	ベース品番 MMUN2113

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関連リソース

代替品リスト（4）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
BCR198E6327HTSA1	Infineon Technologies	143	BCR198E6327HTSA1CT-ND	¥0.38000	アップグレード品
DTA115EKAT146	Rohm Semiconductor	36,756	DTA115EKAT146CT-ND	¥0.24000	類似
PDTA144VT,215	Nexperia USA Inc.	4,580	1727-PDTA144VT,215CT-ND	¥0.13000	類似
RN2315TE85LF	Toshiba Semiconductor and Storage	3,000	RN2315TE85LFCT-ND	¥0.27000	類似