設定
迅速な配送
送料は無料
Incoterms
お支払い方法
マーケットプレイス製品
JAN1N5811US は在庫切れとなっており、繰越注文をご利用いただけます。
購入可能な代替品:
パラメータ等価
パラメータ等価
パラメータ等価
パラメータ等価
パラメータ等価
パラメータ等価
パラメータ等価
パラメータ等価
パラメータ等価
パラメータ等価
パラメータ等価
パラメータ等価
写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。
JAN1N5811US | |
|---|---|
DigiKey製品番号 | 1086-2127-ND |
メーカー | |
メーカー製品番号 | JAN1N5811US |
商品概要 | DIODE STANDARD 150V 3A B SQMELF |
メーカーの標準リードタイム | 34 週間 |
客先参照品番 | |
詳細な説明 | ダイオード 150 V 3A 面実装 B、SQ-MELF |
データシート | データシート |
EDA/CADモデル | JAN1N5811US モデル |
製品属性
型 | 商品概要 | すべて選択 |
|---|---|---|
カテゴリ | ||
メーカー | ||
シリーズ | - | |
梱包形態 | バルク | |
部品状況 | アクティブ | |
技術 | ||
電圧 - DC逆方向（Vr）（最大） | 150 V | |
電流 - 平均整流（Io） | 3A | |
電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大） | 875 mV @ 4 A | |
速度 | 高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io） | |
逆回復時間（trr） | 30 ns | |
電流 - Vr印加時の逆方向漏れ | 5 µA @ 150 V | |
Vr、F印加時の静電容量 | 60pF @ 10V、1MHz | |
グレード | 軍事用 | |
認定 | MIL-PRF-19500/477 | |
取り付けタイプ | ||
パッケージ/ケース | ||
サプライヤデバイスパッケージ | B、SQ-MELF | |
動作温度 - ジャンクション | -65°C～175°C | |
ベース品番 |
0 個在庫あり
リードタイムを確認
在庫通知をリクエスト
数量
価格はすべてJPYです
バルク
| 数量 | 単価 | 請求価格 |
|---|---|---|
| 1 | ¥1,284.00000 | ¥1,284 |
| 100 | ¥1,192.61000 | ¥119,261 |
| 単価（消費税抜き）: | ¥1,284.00000 |
|---|---|
| 単価（消費税込み）: | ¥1,412.40000 |
こちらもご覧くださいすべてを表示
5 品目
日本