DMシリコンカーバイドハーフブリッジ電源モジュール

WolfspeedのDM電源モジュールは、軽量プラットフォームでより高い電力密度を提供

「WolfspeedのDM SiC(シリコンカーバイド)ハーフブリッジ電源モジュール」の画像WolfspeedのDMモジュールファミリは、質量(41g)と体積の小さいフォームファクタで優れた電流容量を提供するように設計されています。DMにより、設計者は重量とスペースに制約があるアプリケーション向けに高電力密度のSiC(シリコンカーバイド)コンバータを作成できます。軽量のAlSiCベースプレートと、機械的堅牢性を保証する高信頼性の窒化ケイ素(Si3N4)パワー基板を採用し、最適化されたパッケージングにより、+175℃の連続接合部動作が可能になります。

DM4オプションには第4世代テクノロジーが搭載されており、より高い高度での運用に対応するため、コスミックFIT率を低減しています。レガシーのバスバーソリューションを選択するよりも、低コストのプリント基板を活用する方が、開発期間とコストを削減できます。

DM電源モジュールの一般的なアプリケーションとしては、e-モビリティ用インバータ、EV充電器、高効率コンバータ、再生可能エネルギーなどが挙げられます。

特長
  • 重量が重視されるシステムのための超低質量
  • 高周波動作
  • 高電力密度のフットプリント
  • 高ジャンクション温度(+175°C)動作
  • 窒化ケイ素絶縁体
  • 軽量AlSiCベースプレート
  • MOSFETのゼロターンオフテール電流
  • ノーマリオフ、フェイルセーフのデバイス動作
  • 第4世代のオプション
応用
  • eモビリティ用インバータ
  • EV充電器
  • 高効率コンバータ/インバータ
  • 再生可能エネルギー

DM Silicon Carbide Half-Bridge Power Module

画像メーカー品番商品概要入手可能な数量価格詳細を表示
SIC MODULECAB3R5M12DM4SIC MODULE8 - 即時$94,041.00詳細を表示
MOSFET 2N-CH 900V 518A MODULECAB003M09DM3MOSFET 2N-CH 900V 518A MODULE1 - 即時$230,689.00詳細を表示
更新日: 2025-04-23
刊行: 2024-10-03