DMシリコンカーバイドハーフブリッジ電源モジュール
WolfspeedのDM電源モジュールは、軽量プラットフォームでより高い電力密度を提供
WolfspeedのDMモジュールファミリは、質量(41g)と体積の小さいフォームファクタで優れた電流容量を提供するように設計されています。DMにより、設計者は重量とスペースに制約があるアプリケーション向けに高電力密度のSiC(シリコンカーバイド)コンバータを作成できます。軽量のAlSiCベースプレートと、機械的堅牢性を保証する高信頼性の窒化ケイ素(Si3N4)パワー基板を採用し、最適化されたパッケージングにより、+175℃の連続接合部動作が可能になります。
DM4オプションには第4世代テクノロジーが搭載されており、より高い高度での運用に対応するため、コスミックFIT率を低減しています。レガシーのバスバーソリューションを選択するよりも、低コストのプリント基板を活用する方が、開発期間とコストを削減できます。
DM電源モジュールの一般的なアプリケーションとしては、e-モビリティ用インバータ、EV充電器、高効率コンバータ、再生可能エネルギーなどが挙げられます。
- 重量が重視されるシステムのための超低質量
- 高周波動作
- 高電力密度のフットプリント
- 高ジャンクション温度(+175°C)動作
- 窒化ケイ素絶縁体
- 軽量AlSiCベースプレート
- MOSFETのゼロターンオフテール電流
- ノーマリオフ、フェイルセーフのデバイス動作
- 第4世代のオプション
- eモビリティ用インバータ
- EV充電器
- 高効率コンバータ/インバータ
- 再生可能エネルギー
DM Silicon Carbide Half-Bridge Power Module
画像 | メーカー品番 | 商品概要 | 入手可能な数量 | 価格 | 詳細を表示 | |
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![]() | ![]() | CAB3R5M12DM4![]() | SIC MODULE | 8 - 即時 | $94,041.00 | 詳細を表示 |
![]() | ![]() | CAB003M09DM3 | MOSFET 2N-CH 900V 518A MODULE | 1 - 即時 | $230,689.00 | 詳細を表示 |