Vishay/Siliconix - ビシェイ/シリコニクス

SiSS52DN 30V NチャンネルMOSFET

VishayのMOSFETは、PowerPAK®12128Sパッケージで0.95mΩまでのRDS（ON）と29.8mΩ*nCの改善されたFOMを提供

「VishayのSiSS52DN 30V NチャンネルMOSFET」の画像Vishayの用途の広いSiSS52DN 30V nチャンネルTrenchFET® gen VパワーMOSFETは、絶縁トポロジと非絶縁トポロジの両方で電力密度と効率を向上させ、両方を使用する設計者の部品選択を簡素化します。3.3mm x 3.3mmの熱強化PowerPAK1212-8Sパッケージで提供され、前世代の製品より5%向上した、10Vで0.95mΩのクラス最高のオン抵抗を備えています。さらに、このMOSFETは4.5Vで1.5mΩのオン抵抗を提供しますが、4.5Vでの29.8mΩ*nCのオン抵抗とゲート電荷の積（スイッチングアプリケーションで使用されるMOSFETの重要性能指数（FOM））は非常に低くなります。SiSS52DNのFOMは、前世代のデバイスに比べて29%の性能向上を示していますが、これは、電力変換アプリケーションのエネルギーを節約するための導通損失とスイッチング損失の削減につながります。

特長
  • クラス最高のオン抵抗：10Vで0.95mΩ
  • 非常に低いFOM：29.8mΩ*nC
  • 3.3mm x 3.3mmの熱強化PowerPAK 1212-8Sパッケージで提供
  • 100%RG-およびUISテスト済み、RoHS対応、ハロゲンフリー
応用
  • サーバ、テレコム、およびRF機器の電源
    • ローサイドの切り替え
    • 同期整流
    • 同期整流式降圧コンバータ
    • DC/DCコンバータ
    • スイッチタンクトポロジ
    • OR-ring FET
    • 負荷スイッチ

SiSS52DN 30 V N-Channel MOSFET

画像メーカー品番商品概要電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）技術ドレイン～ソース間電圧（Vdss）入手可能な数量価格詳細を表示
MOSFET N-CH 30V 47.1A/162A PPAKSISS52DN-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 47.1A/162A PPAK47.1A（Ta）、162A（Tc）MOSFET（金属酸化物）30 V5967 - 即時$255.00詳細を表示
刊行： 2021-04-26

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