SISD5300DN Nチャンネル30V MOSFET

Vishayの汎用30V NチャンネルTrenchFET® Gen VパワーMOSFETは、3.3mm x 3.3mm PowerPAK® 1212-Fパッケージパッケージにソースフリップ技術を搭載しています。SiSD5300DNは、PowerPAK 1212-8Sと同じフットプリントで、オン抵抗を18%低減して電力密度を向上させるとともに、ソースフリップ技術により熱抵抗を+63°C/Wから+56°C/Wに低減しています。さらに、このMOSFETのFOMは前世代のデバイスに比べて35%向上しており、これにより伝導損失とスイッチング損失が低減され、電力変換アプリケーションのエネルギーが節約されます。

PowerPAK1212-Fのソースフリップ技術は、グランドパッドとソースパッドの通常の比率を逆転させ、グランドパッドの面積を拡張してより効率的な熱放散経路を提供することで、冷却動作を促進します。同時に、PowerPAK 1212-Fは、スイッチング領域の範囲を最小限に抑え、トレースノイズの影響を軽減します。特にPowerPAK 1212-Fパッケージでは、ソースパッドの寸法が0.36mmから4.13mmへと10倍増加し、それに見合った熱性能の向上が可能になりました。PowerPAK1212-Fのセンターゲート設計は、単層PCB上の複数デバイスの並列化も簡素化します。