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600V EFシリーズ MOSFET
Vishay Siliconixの高速ボディダイオードNチャンネルMOSFETは信頼性を向上し、ソフトスイッチングトポロジでエネルギーを節約
第2世代のスーパージャンクション技術に基づいて作られたVishay Siliconixの600V EFシリーズの高速ボディダイオードMOSFETは、Vishayの既存の標準Eシリーズの部品を補完し、位相シフトブリッジやLLCコンバータハーフブリッジなどのZVS/ソフトスイッチングトポロジで使用できるデバイスに、同社の提供を拡大します。 SiHx21N60EF、SiHx47N60EF、およびSiHx70N60EFは、標準MOSFETよりも10x低いQrrを提供することにより、これらのアプリケーションでの信頼性を向上します。 これにより、このデバイスは全降伏電圧をより迅速にブロックする能力を回復することができ、シュートスルーおよび熱ストレスからの障害の防止に寄与します。 これらのデバイスの超低オン抵抗とゲート電荷は、極めて低い導電およびスイッチング損失に変換し、高電力、高性能のスイッチ モードアプリケーションでのエネルギーを節約します。
特長および利点
- 逆回復充電（Qrr）は、低ゼロ電圧スイッチングトポロジでの信頼性を増加
- 超低オン抵抗およびゲート電荷は、導電とスイッチング損失を低減
- TO-220、TO-263、薄いリードのTO-220F、TO-247AD、およびTO-247ACパッケージで提供
- 100%のUISテストを通じて保証制限を備えた、アバランシェおよび転流モードでの高エネルギーパルスに耐える
- RoHS対応およびハロゲンフリー
応用
- ソーラーインバータ、サーバおよびテレコム電源システムを含むスイッチモードアプリケーション
- ATX/シルバーボックスPC SMP
- 溶接機器
- UPS
- 電池充電器
- 半導体の主要装置
600 V EF Series MOSFETs
| 画像 | メーカー品番 | 商品概要 | 入手可能な数量 | 価格 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | SIHA21N60EF-E3 | MOSFET N-CH 600V 21A TO220 | 0 - 即時 | $289.36 | 詳細を表示 |
|  | SIHB21N60EF-GE3 | MOSFET N-CH 600V 21A TO263AB | 30 - 即時 | $819.00 | 詳細を表示 |
|  | SIHG21N60EF-GE3 | MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC | 449 - 即時 | $861.00 | 詳細を表示 |
| | SIHG47N60EF-GE3 | MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC | 439 - 即時 | $1,704.00 | 詳細を表示 |
|  | SIHP21N60EF-GE3 | MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB | 0 - 即時 | $792.00 | 詳細を表示 |
|  | SIHW70N60EF-GE3 | MOSFET N-CH 600V 70A TO247AD | 0 - 即時 | $1,383.60 | 詳細を表示 |
刊行： 2015-05-19
日本