Vishay/Siliconix - ビシェイ/シリコニクス

第4世代E/EF シリーズ MOSFET

VishayのMOSFETはスイッチング損失と伝導損失を低減

「Vishay Siliconixの第4世代600V E/EFシリーズMOSFET」の画像VishayのPowerPAKパッケージ技術を利用した第4世代600Vおよび650VスーパージャンクションMOSFETは、ブリッジ技術におけるハード整流を回避するため、Qrrの10倍の低減を可能にします。また、充電/放電時間におけるCo(ter)削減も提供して、最適化されたZVS動作を達成します。低RDS(ON) x Qg FOMは、エンジニアを支援して、電力密度とシステム効率を高めます。

特長
  • 第4世代Eシリーズ技術
  • 低FOM RON x Qg
  • 低実効容量（Co(er)）
  • スイッチング損失、導通損失の低減
  • アバランシェエネルギー定格（UIS）
  • ゲートノイズを低減するケルビン接続
応用
  • サーバ/通信機器用電源
  • スイッチモード電源（SMPS）
  • 力率補正（PFC）電源
  • 照明機器
  • 高輝度放電（HID）
  • 蛍光灯バラスト照明
  • 産業用機器
  • 溶接
  • 誘導加熱
  • モータドライブ
  • 充電器
  • 太陽電池（PVインバータ）

Fourth-Generation E/EF Series MOSFETs

画像メーカー品番商品概要電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）Id、Vgs印加時のRds On（最大）入手可能な数量価格詳細を表示
EF SERIES POWER MOSFET WITH FASTSIHH085N60EF-T1GE3EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST30A（Tc）85ミリオーム @ 17A、10V5635 - 即時$1,325.00詳細を表示
E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 8SIHH080N60E-T1-GE3E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 832A（Tc）80ミリオーム @ 17A、10V3553 - 即時$952.00詳細を表示
MOSFET N-CH 600V 34A PPAK 8 X 8SIHH068N60E-T1-GE3MOSFET N-CH 600V 34A PPAK 8 X 834A（Tc）68ミリオーム @ 15A、10V86 - 即時$1,465.00詳細を表示
MOSFET N-CH 600V 36A PPAK 8 X 8SIHH070N60EF-T1GE3MOSFET N-CH 600V 36A PPAK 8 X 836A（Tc）71ミリオーム @ 15A、10V3000 - 即時$1,423.00詳細を表示
E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 8SIHR080N60E-T1-GE3E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 851A（Tc）84ミリオーム @ 17A、10V1990 - 即時$1,216.00詳細を表示
刊行： 2019-01-31

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