SiA468DJ-T1-GE3 TrenchFET®パワーMOSFET

Vishayは、電力密度と効率を向上させる業界で低いオン抵抗を備えたMOSFETを提供

Vishay Siliconixが提供するSiA468DJ-T1-GE3 TrenchFET®パワーMOSFETの画像 Vishay SiliconixのSiA468DJは、2mm × 2mmのプラスチックパッケージで、30Vデバイス向けに業界最小のオン抵抗と最高の連続ドレイン電流を提供します。この製品は、PowerPAK 1212でのデバイスよりも60%小型のPowerPAK® SC-70パッケージで提供されます。

SiA468DJは、前世代のソリューションに比べてオン抵抗を51%低減し、最も競合するデバイスに比べて7%の向上を実現します。この製品は、前世代のデバイスよりもより68%高く、最も競合するソリューションよりも50%高い連続ドレイン電流を誇ります。

特長

  • 多様な電源変換トポロジ向けに最適化された非常に低いオン抵抗 x ゲート電荷性能指数(FOM)
  • 伝導損失を低減し、効率を向上させるクラス最高のオン抵抗
  • より高い過渡電流に遭遇するアプリケーション向けに十分な安全マージンを提供する高連続ドレイン電流
  • 超小型PowerPAK SC-70パッケージで提供
  • RoHS対応、100% RGテスト済み、およびハロゲンフリー
応用
  • バッテリ管理向けのDC/DC変換とバックツーバック負荷スイッチング
  • ノートパソコン
  • タブレット
  • VRヘッドセット
  • DC/DCブリック
  • ワイヤレス充電器でのHブリッジ
  • ドローン向けのモータドライブ制御

SiA468DJ-T1-GE3 TrenchFET Power MOSFET

画像メーカー品番商品概要ドレイン~ソース間電圧(Vdss)電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)入手可能な数量価格詳細を表示
MOSFET N-CH 30V 37.8A PPAK SC70SIA468DJ-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 37.8A PPAK SC7030 V37.8A(Tc)4.5V、10V2040 - 即時$149.00詳細を表示
刊行: 2017-04-03