Vishay/Siliconix - ビシェイ/シリコニクス

第V世代TrenchFET MOSFET

Vishayの80V、100V、150V MOSFETは、Qg FOMに対するRDSが非常に低いのが特長

Vishay Siliconixの第V世代TrenchFET® MOSFETの画像VishayのTrenchFET®第V世代パワーMOSFETは、絶縁トポロジと非絶縁トポロジの両方で、電力密度と効率の向上を実現します。超低オン抵抗、+175℃までの高温動作、およびVishayの省スペースPowerPAK®パッケージは、ボンドワイヤレス構造で基板レベルの信頼性の向上に役立ちます。このシリーズは、100％RGおよびUISテスト済みで、RoHS対応、ハロゲンフリーです。

特長
  • 非常に低いRDS対QgFOM
  • RDS対QOSSFOMが、最も低くなるようにチューニング
応用
  • 同期整流
  • 1次側スイッチ
  • DC/DCコンバータ
  • 太陽光発電用マイクロインバータ
  • モータ駆動スイッチ
  • バッテリと負荷スイッチ
  • 産業用モータ駆動
  • 充電器

Gen V TrenchFET MOSFETs

画像メーカー品番商品概要ドレイン～ソース間電圧（Vdss）入手可能な数量料金詳細を表示
N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFETSIDR5802EP-T1-RE3N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET80 V0 - 即時$635.00詳細を表示
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWESIR5802DP-T1-RE3N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE80 V5633 - 即時$466.00詳細を表示
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POWSIR5102DP-T1-RE3N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW100 V4258 - 即時$687.00詳細を表示
N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFESIDR5102EP-T1-RE3N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE100 V4370 - 即時$654.00詳細を表示
N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POWSIR578DP-T1-RE3N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW150 V3801 - 即時$602.00詳細を表示
N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFESIDR578EP-T1-RE3N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE150 V5622 - 即時$700.00詳細を表示
刊行： 2023-10-16

Related Product Highlight

150V第5V世代SiR578DP MOSFET Vishayの150V第5V世代SiR578DP MOSFETは、電力密度と効率の向上を実現します。
5GにおけるMOSFET 5GにおけるVishayのMOSFETは、5Gインフラ、基地局、エッジおよびクラウドコンピューティングに最適です。