Vishay/Siliconix - ビシェイ/シリコニクス

標準ゲート駆動用に最適化されたTrenchFET®パワーMOSFET

Vishayの60V MOSFETは、PowerPAK® 1212-8Sパッケージで効率と電力密度を向上

Vishay/Siliconixが提供する標準ゲート駆動用に最適化された60VパワーMOSFETの画像Vishayの60V TrenchFET Gen IV nチャンネルパワーMOSFETは、10Vで最小4mΩのオン抵抗を実現することで標準ゲート駆動用に最適化された業界初のMOSFETで、熱特性を強化した3.3mm x 3.3mm PowerPAK 1212-8Sパッケージに収められています。Vishay Siliconix SiSS22DNはスイッチングトポロジでの効率と電力密度を高めるように設計されており、低いQOSSおよび22.5nCのゲート電荷を特長としています。

特長
  • 10Vで最小4mΩのオン抵抗により伝導損失を最小化
  • 34.2nCの低QOSSと22.5nCのゲート電荷により、スイッチングからの電力損失を低減
  • 3.3mm x 3.3mmのコンパクトなPowerPAK® 1212-8Sパッケージで提供
  • 全数RGおよびUIS試験済み、RoHS対応、ハロゲンフリー
応用
  • AC/DCおよびDC/DCトポロジでの同期整流
  • DC/DCコンバータでの1次側スイッチング、昇降圧コンバータでのハーフブリッジMOSFETパワー段、通信およびサーバ電源でのOR接続機能
  • 電動工具および産業機器でのモータ駆動制御および回路保護
  • バッテリ管理モジュールでのバッテリ保護と充電

TrenchFET® 60 V Power MOSFET

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MOSFET N-CH 60V 25A/90.6A PPAKSISS22DN-T1-GE3MOSFET N-CH 60V 25A/90.6A PPAK5737 - 即時$365.00詳細を表示
刊行： 2019-08-14