VOW3120ワイドボディ2.5A IGBTおよびMOSFETドライバ

VishayのVOW3120オプトカプラは、モータ制御およびインバータアプリケーションで使用されるパワーIGBTおよびMOSFETを駆動するのに最適

Vishay Semiconductor/Opto DivisionのVOW3120ワイドボディ2.5A IGBTおよびMOSFETドライバの画像 VishayのVOW3120は、パワー出力段を備えた集積回路に光学的に結合された赤外線発光ダイオードから構成されています。 このオプトカプラは、モータ制御およびインバータアプリケーションで使用されるパワーIGBTおよびMOSFETを駆動するのに最適です。 出力段の高動作電圧範囲は、ゲート制御されたデバイスが必要とする駆動電圧を提供します。 このオプトカプラによって供給される電圧および電流により、最大1200V/100Aまでの定格を備えたIGBTを直接駆動するのに最適となります。高い定格を備えたIGBTに対して、VOW3120はIGBTゲートを駆動するディスクリートパワー段を駆動するために使用することができます。 VOW3120は、より高い動作電圧、および/またはより高い汚染度基準で動作するアプリケーション向けのより高い絶縁を提供します。 より高いVIORM、VIOTM、沿面距離および空間距離により、VOW3120は、多くの産業制御およびパワー変換アプリケーションに最適です。

特長
  • 最小ピーク出力電流:2.5A
  • 最小外部沿面距離:10mm
  • 最小コモンモード除去比:25kV/μs
  • ICC = 2.5mAの最大消費電流
  • ヒステリシス付きの不足電圧ロックアウト(UVLO)
  • 広い動作VCC範囲:15V〜32V
  • 最大パルス幅歪み:0.2μs
  • 産業用温度範囲:-40°C~+100°C
  • 0.5Vの最大低レベル出力電圧(VOL)
応用
  • 産業用溶接機器
  • モータドライブ
  • 産業用インバータ
  • 商用および住宅用ソーラーインバータ
  • 風力発電インバータ
  • EVおよびプラグインHEV充電器

VOW3120 Wide Body 25 A IGBT and MOSFET Driver

画像メーカー品番商品概要電圧 - 絶縁コモンモード過渡耐性(最小)入手可能な数量料金
OPTOISO 5.3KV 1CH GATE DVR 8SMDVOW3120-X017TOPTOISO 5.3KV 1CH GATE DVR 8SMD5300Vrms25kV/µs1370 - 即時$726.00詳細を表示
刊行: 2014-03-17