Vishay General Semiconductor - Diodes Division

650V SiC（シリコンカーバイド）ショットキーダイオード

Vishayの4A～40Aデバイスは、統合されたPINショットキー設計を搭載

Vishayの650V SiC（シリコンカーバイド）ショットキーダイオードの画像Vishayは、マージされたPINショットキー（MPS）設計を特長とする650V SiC（シリコンカーバイド）ショットキーダイオードを発表しました。これらのデバイスは、温度変動の影響に関係なく、スイッチング損失を低減することで高周波アプリケーションの効率を高めるように設計されており、デバイスをより高い温度で動作させることができます。デバイスの統合されたPINショットキー設計は、ショットキーバリアから電界を遮蔽して、ホール注入を介したサージ電流能力を高めながら、リーク電流を低減します。純粋シリコンのショットキーデバイスと比較して、これらのダイオードは同じレベルの電流を処理し、順方向電圧降下をわずかに増加させるだけで、非常に高い堅牢性を示し、設計者に対してシステム最適化における高い柔軟性をもたらします。これらは、2L TO-220ACおよびTO-247AD 3Lパッケージで提供されます。

特長
  • マージされたPINショットキー設計
  • 簡単な並列化のための正のVF温度係数
  • 温度不変のスイッチング動作
  • 4A～40Aの定格電流で利用可能
  • +175°Cまでの高温動作を提供
  • JESD 201クラス2ウィスカテストに適合
  • 2L TO-220ACおよびTO-247AD 3Lパッケージで提供
応用
  • フライバック電力供給業者におけるPFCと出力整流
  • サーバ用のLLCコンバータ
  • テレコム機器
  • UPS
  • ソーラーインバータ

650 V Silicon Carbide Schottky Diodes

画像メーカー品番商品概要電流 - Vr印加時の逆方向漏れ速度電流 - 平均整流（Io）入手可能な数量価格詳細を表示
DIODE SIL CARB 650V 12A TO220ACVS-C12ET07T-M3DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC65 µA @ 650 V高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）12A0 - 即時$343.32詳細を表示
DIODE SIL CARB 650V 10A TO220ACVS-C10ET07T-M3DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC55 µA @ 650 V高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）10A0 - 即時$293.13詳細を表示
DIODE SIL CARB 650V 20A TO220ACVS-C20ET07T-M3DIODE SIL CARB 650V 20A TO220AC100 µA @ 650 V高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）20A0 - 即時$638.46詳細を表示
DIODE SIL CARB 650V 8A TO220ACVS-C16ET07T-M3DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC45 µA @ 650 V高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）8A0 - 即時$515.99詳細を表示
DIODE SIL CARB 650V 8A TO220ACVS-C08ET07T-M3DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC45 µA @ 650 V高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）8A0 - 即時$232.90詳細を表示
DIODE SIL CARB 650V 4A TO220ACVS-C04ET07T-M3DIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC25 µA @ 650 V高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）4A0 - 即時$142.04詳細を表示
DIODE SIL CARB 650V 6A TO220ACVS-C06ET07T-M3DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC75 µA @ 650 V高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）6A0 - 即時$192.74詳細を表示
DIODE SIL CARB 650V 20A TO220ACVS-C40CP07L-M3DIODE SIL CARB 650V 20A TO220AC100 µA @ 650 V高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）20A0 - 即時$1,545.43詳細を表示
DIODE SIL CARB 650V 10A TO220ACVS-C20CP07L-M3DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC55 µA @ 650 V高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）10A0 - 即時See Page for Pricing詳細を表示
DIODE SIL CARB 650V 16A TO220ACVS-C16CP07L-M3DIODE SIL CARB 650V 16A TO220AC85 µA @ 650 V高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）16A0 - 即時See Page for Pricing詳細を表示
刊行： 2021-01-20

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650 V Silicon Carbide Schottky Diodes Vishay’s 650 V silicon carbide (SiC) Schottky diodes feature a merged PIN Schottky design and are designed to increase the efficiency of high-frequency applications.