VS-SF50xA120/VS-SFxx0SA120パワーモジュール

Vishay Semiconductor Diodesのパワーモジュールは、SiCテクノロジーで設計されており、既存の中高周波設計の電力効率を向上

Vishay Semi Diodesの1,200V SiC MOSFETパワーモジュールの画像Vishay Semiconductor DiodesのVS-SF50xA120およびVS-SFxx0SA120パワーモジュールは、中~高周波アプリケーションの電力効率を高めるように設計されています。シングルスイッチとローサイドチョッパ構成があります。各パワーモジュールは、低逆回復を実現するソフトボディダイオードと統合されたSiC MOSFETを搭載しています。その結果、スイッチング損失が減少し、効率が向上しています。コンパクトなSOT-227パッケージにより、既存設計の競合ソリューションとドロップインで置き換えることができため、設計者はPCBレイアウトの変更に費用をかけずにSiCテクノロジーを採用することができます。また、モールドパッケージは2,500Vまでの電気絶縁(1分間)を提供し、部品とヒートシンクの間に絶縁材を追加する必要がないため、コストを削減できます。

特長
  • 業界標準SOT-227パッケージ
  • シングルスイッチおよびローサイドチョッパ構成で提供
  • 統合
    • SiC MOSFET
    • 逆回復の少ないソフトボディダイオード
  • 2,500V、1分間までの電気絶縁
 
  • 連続ドレイン電流:50A~200A
  • 12.1mΩまでの低オン抵抗
  • 低静電容量で高速スイッチング
  • 最大動作接合部温度:+175°C
  • RoHS対応
応用
  • ソーラーインバータ
  • 電気自動車(EV)用オンボード充電器
  • SMPS
  • DC/DCコンバータ
 
  • UPS(無停電電源装置)
  • HVAC(空調)システム
  • 大規模蓄電システム
  • 通信用電源

VS-SF50xA120 and VS-SFxx0SA120 Power Modules

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刊行: 2026-01-29