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SiC（シリコンカーバイド）ショットキーダイオード
VishayのSiC（シリコンカーバイド）ショットキーダイオードは、要求の厳しいアプリケーションに好適
Vishayの第3世代パワーSiCマージドPINショットキーダイオードは、広帯域ギャップSiC（シリコンカーバイド）ベースのダイオードです。高性能と堅牢性を追求した設計によって、広い温度範囲での極端な高速ハードスイッチングに理想的な選択肢となっています。これらのダイオードは、AC/DCおよびDC/DCコンバータのブートストラップダイオードやアンチパラレルダイオードなど、要求の厳しいアプリケーションに特に適しています。
特長
- 薄型面実装パッケージ：標準的な高さ1.7mmのSMPDと高さ1.3mmのSlimDPAKが利用可能
- 高電圧沿面距離：最大3.7mm、高電圧での安全な動作を保証
- VFと効率の向上：薄型ウェハー技術により達成され、全体的な性能が向上
- 低いVF x Q C：消費電力が低くなり、ダイオードの効率が向上
- 高い動作接合部温度：+175°C
- 認定済みの信頼性：高温逆バイアス（HTRB）2,000時間、温度サイクル（TC）2,000回のテストを実施し、長期信頼性を確保
- 正のVF温度係数：ダイオードの並列化が容易
- 温度変化しないスイッチング動作：広い温度範囲で安定した性能を保証
- D2PAK 2Lパッケージ：高い比較トラッキング指数（CTI 600以上）のモールドコンパウンドを採用し、IEC 60664-1規格に準拠した高電圧での動作が可能
- 実質的に回復テールなし、スイッチング損失なしで、効率的な性能を保証
- J-STD-020に準拠したMSLレベル1に適合（LF最大ピーク+260℃）
- MPS構造により、順方向電流のサージに対して高い耐久性を実現
- JESD 201クラス2のウィスカー試験に適合し、信頼性を確保
- 定義と規格準拠のための材料分類
応用
- ブートストラップダイオード：電源電圧より高い電圧を供給する回路で使用
- アンチパラレルダイオード：AC/DCおよびDC/DCコンバータに使用され、効率と性能を向上
- コンバータ：高速スイッチング能力により、AC/DCおよびDC/DCコンバータでの使用に最適
Silicon Carbide Schottky Diodes
| 画像 | メーカー品番 | 商品概要 | 電圧 - ピーク逆方向（最大） | 電流 - 最大 | 入手可能な数量 | 価格 | 詳細を表示 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | VS-3C01EJ12-M3/H | RECTIFIER, SIC, 1200V, 1A, SINGL | 1200V | 1 A | 8346 - 即時 | $183.00 | 詳細を表示 |
| | VS-3C02EJ07-M3/H | RECTIFIER, SIC, 650V, 2A, SINGLE | 650V | 2 A | 3958 - 即時 | $286.00 | 詳細を表示 |
| | VS-3C02EJ12-M3/H | RECTIFIER, SIC, 1200V, 2A, SINGL | 1200V | 2 A | 7816 - 即時 | $194.00 | 詳細を表示 |
刊行： 2025-03-26
日本