SiC(シリコンカーバイド)ショットキーバリアダイオード

Vishayの統合型パワーコンポーネントは、信頼性の高い性能と高い電力密度を単一のハウジングで実現

「Vishay Semi DiodesのSiC(シリコンカーバイド)ショットキーバリアダイオード」の画像VishayのワイドバンドギャップSiCベースの650Vショットキーダイオードは、高性能と堅牢性を実現するように設計されています。高速、ハードスイッチング、および広い温度範囲での効率的な動作にとって最適な選択肢であり、シリコンの超高速回復動作が求められるすべてのアプリケーションにも推奨されます。代表的なアプリケーションとしては、FBPSおよびLLCコンバータにおけるAC/DC PFCおよびDC/DC超高周波出力整流などが挙げられます。

特長
  • 実質的に回復テールなし、スイッチング損失なし
  • SiCワイドバンドギャップ材料のショットキー技術を用いたマジョリティキャリアダイオード
  • 高速スイッチングと低スイッチング損失
  • 容易なパラレル化向けの正温度係数
  • 電気的に絶縁されたベースプレート
  • 端子間の大きな沿面距離
  • 簡素化された機械的設計および迅速なアセンブリ
  • 産業用レベルアプリケーション向けに設計および適合
  • UL承認済みファイルE78996
  • 薄型ウェハー技術によるVFの向上と効率化

Silicon Carbide Schottky Barrier Diodes - Single Diode

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DIODE MOD SIC 650V 20A SOT-227VS-SC40FA65DIODE MOD SIC 650V 20A SOT-227138 - 即時$5,843.00詳細を表示
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Silicon Carbide Schottky Barrier Diodes - Diode Arrays

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刊行: 2024-04-22