VS-ENQ030L120S、VS-ETF075Y60U、VS-ETF150Y65U、および VS-ETL015Y120H IGBTパワーモジュール

VishayのIGBTパワーモジュールは、容易な熱管理のために超高速トレンチ型IGBT、高効率HEXFRED®およびFRED Pt®ダイオード技術、そしてサーミスタを単一のパッケージに組み合わせ、プレスフィット技術を特長とします。 Vishay Semiconductorのモジュールは、3レベルの中性点クランプ（NPC）トポロジおよびインターリーブされたマルチチャンネルの最大電力点追従（MPPT）昇圧コンバータをベースにした、インバータ用の完全な統合ソリューションを提供します。

これらの統合された設計で、今日発売されたこれらのデバイスは、設計者が市場投入までの時間を低減し、全体のシステム性能を向上するのに役立ちます。 3レベルNPCトポロジ用のVS-ENQ030L120Sは、1200Vのコレクタ〜エミッタ降伏電圧および30Aのコレクタ電流定格を提供します。3レベルインバータ段用に設計されたVS-ETF075Y60UおよびVS-ETF150Y65Uは、設計者に600Vおよび650Vのコレクタ〜エミッタ降伏電圧を備えた75Aと150Aのコレクタ電流定格それぞれの選択肢を提供し、また175°Cまでの高温度性能を提供します。 二重昇圧コンバータ向けに最適化された15AのVS-ETL015Y120Hは、1200Vのコレクタ〜エミッタ降伏電圧、高効率のシリコン昇圧ダイオード、統合62Aバイパスダイオード、およびパネル短絡、全電流の逆極性保護ダイオードを特長とします。 すべてのデバイスは、より高い電力レベルアプリケーションに適合するモジュール式で拡張可能な設計を提供します。

EMIPAK-1B（VS-ENQ030L120S）およびEMIPAK-2B（VS-ETF075Y60U、VS-ETF150Y65U、およびVS-ETL015Y120H）パッケージで提供されるこれらのパワーモジュールの無はんだプレスフィット技術により、露出したDBC基板が低熱抵抗を実現しながらも、容易なPCB実装を可能にします。 これらのデバイスは最大20kHzの動作周波数を実現しながらも、低い内部インダクタンスおよびスイッチング損失を提供します。 これらのモジュールの最適化されたレイアウトは、より良好なEMI性能のための浮遊パラメータの最小化に寄与します。

RoHS対応のデバイスは、UL認証済み（ファイルE78996）です（VS-ENQ030L120S向けは承認申請中）。 Vishayのパワーモジュールは、産業規格に準拠し、カスタムソリューションを特定のアプリケーション要件を満たすために適合させることができます。