5V~24VパワーMUXソリューション

ToshibaのパワーMUXとしてのハイサイドゲートドライバとコモンドレインMOSFET

「ToshibaのパワーMUXソリューション」の画像ToshibaのゲートドライバIC「TCK42xGシリーズ」は、低損失なBBM(Break-Before-Make)およびMBB(Make-Before-Break)スイッチングの実現に寄与します。スマートフォン、ウェアラブル、IoT、家庭用ゲーム機などのアプリケーションでは、一般的に、ワイヤレス、USB-PD、内蔵バッテリなど、複数の入力電源があります。異なる入力電源の電力多重化は、パワーマネージメント回路内の重要な要件です。

大まかに言うと、BBMとMBBは、パワーマルチプレクサ回路の出力スイッチング方式です。BBMは0Vまで低下してから出力を切り替えるので、バッテリ充電回路など、出力切り替え時に入力への逆電流を防ぎたいアプリケーションに適しています。MBBは0Vに降下することなく出力を切り替えるので、オーディオ回路やバックアップ電源など、電源の維持が必要なアプリケーションに適しています。消費電力の増加やデバイスの機能拡張により、デバイスには電力を節約するための効率的なBBMおよびMBBスイッチングが求められています。

TCK42xGは、低オン抵抗のNチャンネルMOSFETのゲートに最適な電圧を印加し、モノリシックICよりも省電力かつコンパクトなスイッチングを実現します。また、TCK42xGシリーズは、コモンドレインMOSFETと互換性があり、BBM/MBBスイッチング時に逆流を防止します。

リソース
  • コモンドレイン接続NチャンネルMOSFET回路例
  • 「Toshibaのコモンドレイン接続」の画像

  • パワーマルチプレクサの応用回路例
  • ToshibaのコモンドレインMOSFETの画像

  • パワーMUX出力スイッチング方式、5V(VINA)~20V(VINB)
  • 画像:Toshibaが提供するコモンドレイン接続NチャンネルMOSFET回路例
特長
  • BBMまたはMBBパワーマルチプレクサの作成
  • 5V~24Vの電源ラインをサポート
  • 過電圧ロックアウト(OVLO)および不足電圧ロックアウト(UVLO)
  • 小型サイズ
応用
  • スマートホン
  • ウェアラブル
  • SSD
  • モバイル機器
  • スマートスピーカ
  • IoTデバイス
  • タブレット
  • 「常時オン」デバイス

MOSFET Gate Driver

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Drain common MOSFET

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Zener Diodes

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更新日: 2023-05-10
刊行: 2022-02-04