ESD保護TVSダイオード

スマートフォン、ウェアラブル、および仮想現実やモノのインターネット（IoT）などのアプリケーションによって駆動されるデータトラフィックの継続的な成長は、ESD事象からの保護を通常必要とする高速インターフェース数の増加につながっています。 この需要に対処すべく、Toshiba Electronics Europeは、Toshiba独自のスナップバック技術を使用する、第4世代ESDダイオードアレイプロセス（EAP-IV）をベースにする新しいESD保護ダイオードを発売しました。

DF2B5M4SL、DF2B6M4SL、DF10G5M4N、およびDF10G6M4Nは、USB 3.1アプリケーションを含む高速インターフェースの保護を提供します。 動作電圧（3.6および5.5V）およびパッケージ（SOD962およびDFN10）の選択肢は、さまざまな設計においてESD保護を実現するための柔軟なオプションを提供します。

Toshibaの新しいプロセスにより、これらの4つのデバイスは、低静電容量、低ダイナミック抵抗、および高いESD耐性を同時に提供します。 高速データ信号の最小の信号歪みは、0.2pFの超低静電容量によって保証されるとともに、R_DYN=0.5Ωの標準のダイナミック抵抗は、低いクランピング電圧を確保します。 IEC61000-4-2に基づいて、少なくとも±20kVの静電気放電電圧が保証されるため、高いESD保護レベルがサポートされます。

SOD-962パッケージで必要なフットプリントはわずか0.62 x 0.32mmで、ESD保護に必要なICの近くに配置できるため、DF2BxM4SLデバイスは、高コンポーネント密度のPCBに実装するのに特に適しています。 DF10GxM4Nタイプ向けに、DFN10パッケージを、4ビットバスラインの上に簡単に配置できます。 単一のTVSダイオード接続に追加のスタブが不要なため、このフロースルー設計は、PCBでのシンプルなバスルーティングをサポートします。

Toshibaはまた、USBおよびHDMI速度から、オーディオポートおよび押ボタン保護に至る、要求が厳しくないアプリケーション向けの各種低コストのESDダイオードを提供します。