Toshiba Semiconductor and Storage - 東芝セミコンダクター＆ストレージ

L-TOGL™パッケージ入りAEC-Q NチャンネルパワーMOSFET

ToshibaのAEC-Q 40V 400A NチャンネルパワーMOSFETをL-TOGLパッケージで製品化

「ToshibaのL-TOGL™パッケージ入りAEC-Q NチャンネルパワーMOSFET」の画像Toshibaの40V NチャンネルパワーMOSFET XPQR3004PBおよびXPQ1R004PBは、高放熱パッケージL-TOGL（Large Transistor Outline Gull-Wing Lead）とU-MOS IX-H chipプロセスの組み合わせにより超低オン抵抗、高電流定格、高放熱性を実現しました。

L-TOGLパッケージは、従来のTO-220SM（W）パッケージと同等のサイズですが、XPQR3004PBは定格電流を大幅に向上させ、オン抵抗を0.23mΩ（標準）と大幅に低減させました。また、L-TOGLはパッケージのフットプリントを最適化したことにより、同サイズのTO-220SM（W）パッケージと比較して、熱特性の改善にも寄与しています。

これらの特長を併せ持つToshibaの製品は、高電流対応と高放熱性を実現し、様々な車載アプリケーションの電力密度向上に貢献します。

特長
  • AEC-Q101認定
  • 低ドレイン～ソース間オン抵抗：
    • XPQR3004PB RDS(ON)=0.23mΩ（標準）（VGS=10V）
    • XPQ1R004PB RDS(ON)=0.80mΩ（標準）（VGS=10V）
  • 低リーク電流：IDSS=10µA（最大）（VDS=40V）
  • エンハンスメントモード：Vth=2.0V～3.0V（VDS=10V、ID=1.0mA）
応用
  • 車載用
  • スイッチング電圧レギュレータ
  • モータドライバ
  • DC/DCコンバータ

AEC-Q N-Channel Power MOSFETs in L-TOGL™ Package

画像メーカー品番商品概要入手可能な数量価格詳細を表示
40V U-MOS IX-H L-TOGL 1.0MOHMXPQ1R004PB,LXHQ40V U-MOS IX-H L-TOGL 1.0MOHM4471 - 即時$583.00詳細を表示
40V U-MOS IX-H L-TOGL 0.3MOHMXPQR3004PB,LXHQ40V U-MOS IX-H L-TOGL 0.3MOHM2630 - 即時$1,177.00詳細を表示
刊行： 2023-02-27

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