30Vおよび40V超高効率MOSFET

Toshibaは、30Vおよび40Vデバイスを自社の既存製品ラインに加えることで、超高効率、低圧MOSFETのファミリを拡大しました。 これらすべてのデバイスは、ベースステーション、サーバーおよび産業装置で使用する切り替えモード電源の効率を上げるための低オン抵抗および低Q_OSSを実現する、超小型TSON AdvanceおよびSOP Advanceパッケージオプションでの入手が可能です。

ひとつは30Vデバイスで、そしてもうひとつは40Vデバイスで構成されるNチャンネルMOSFETは、Toshibaの次世代U-MOS IX-Hトレンチ半導体プロセスをベースにしています。 このプロセスは、オン抵抗（R_DS（ON）） を下げ、出力チャージ（Q_OSS）を低減して効率切り替えを向上することにより、広範な負荷条件にわたり「ベストインクラス」効率を提供するよう設計されました。

このMOSFETは、DC-DC変換のハイサイドおよびローサイド切り替えおよびAC-DC設計での2次側同期整流を含むさまざまな電源管理回路の損失と基盤スペースを設計者が低減できるようにします。 この技術はまた、リチウムイオン(Liイオン)電池がベースの電子装置での保護回路モジュールおよびモータ制御用に最適です。

30 V MOSFET用の10Vの（V_GS）電圧で、最大R_DS(ON)の定格であれば、たった0.65mΩで、標準C_OSSは、2720pFです。 40Vのアイテムは、R_DS(ON)および標準C_OSS定格を提供： 0.85mΩおよび1930pF。 これが特定のアプリケーションでの性能を最適化するための強化された柔軟性を確保します。

UMOS IX-H MOSFETは、薄型で表面実装パッケージのTSON Advance (3 mm×3 mm）およびSOP Advance（5 mm×6 mm）で入手可能です。 すべてのMOSFETは、最大175℃のチャンネル部温度で作動します。