SiC/IGBT用UCC21750シングルチャンネル絶縁型ゲートドライバ

Texas InstrumentsのUCC21750は、先進の保護機能、クラス最高の動的性能、堅牢性を持ち合わせ、最大2,121V_DCで動作するSiC MOSFETおよびIGBT用に設計されたガルバニック絶縁型シングルチャンネルゲートドライバです。UCC21750には、最大±10Aのピークソースおよびシンク電流があります。入力側はSiO₂容量性絶縁技術によって出力側から絶縁され、最大1.5kV_RMSの動作電圧に対応し、耐用年数40年超の絶縁バリアにより12.8kV_PKのサージ耐性を備える一方、部品間スキューが小さく、150V/nsよりも優れたコモンモードノイズ耐性（CMTI）を実現しています。

UCC21750は、高速過電流/短絡検出、シャント電流センシング、フォールト通知、アクティブミラークランプ、入出力側電源UVLOといった最新の保護機能を備えているため、SiCおよびIGBTのスイッチング動作や堅牢性を最適化できます。PWM出力を備えた絶縁アナログセンサは温度/電圧センシングを容易にするために利用でき、ドライバの汎用性を高め、システム設計の労力、サイズ、コストを簡素化できます。