Texas Instruments - テキサスインスツルメンツ

LMG2100R044 – 100V 35A GaNハーフブリッジパワー段

Texas InstrumentsのLMG2100R044は、ドライバ内蔵の高効率GaNパワー段

画像：Texas Instrumentsが提供するLMG2100R044 – 100V 35A GaNハーフブリッジパワー段 Texas Instruments のLMG2100R044は、2個の4.4mΩエンハンスメントモードGaN FETと高速ドライバを内蔵した、高性能、100V、35Aのハーフブリッジパワー段です。高効率、高密度の電力変換用に設計されたこのデバイスは、高速スイッチング、低損失、コンパクトなPCBレイアウトを必要とするアプリケーションに最適です。

LMG2100R044は、90Vの連続定格電圧と100Vのパルス定格電圧を備え、リンギングを最小限に抑えながら高スルーレートのスイッチングをサポートし、要求の厳しい電力供給システムに対応できます。ドライバが内蔵されているため、設計が簡素化され、部品点数が削減されるとともに、コンパクトなパッケージにより熱性能とレイアウトの柔軟性が向上します。

このデバイスは、3.3Vと5Vの両方のロジックレベルをサポートし、5Vの外部バイアス電源で動作します｡テレコム、データ通信、産業用電源などのアプリケーションにおける同期降圧、昇圧、ハーフブリッジトポロジ向けに最適化されています。

特長
  • 4.4mΩハーフブリッジGaN FETとドライバを内蔵
  • 電圧定格：連続90V、パルス100V
  • 低リンギングで高スルーレートのスイッチング
  • 5Vの外部バイアス電源
  • 3.3Vおよび5Vの入力ロジックレベルをサポート
  • PCBレイアウトに最適化されたコンパクトパッケージ
  • 保護機能内蔵
応用
  • テレコムおよびデータコム電源
  • 産業用電源システム
  • 高効率DC/DCコンバータ
  • 同期降圧/昇圧コンバータ
  • ハーフブリッジとフルブリッジのトポロジ
  • 高密度パワーモジュール

LMG2100R044 – 100 V, 35 A GaN Half-Bridge Power Stage

画像メーカー品番商品概要出力構成用途インターフェース入手可能な数量価格詳細を表示
100-V 4.4-M HALF-BRIDGE GAN FETLMG2100R044RARR100-V 4.4-M HALF-BRIDGE GAN FETハーフブリッジ同期式降圧コンバータPWM991 - 即時$1,462.00詳細を表示
刊行： 2025-06-17