ワイドバンドギャップSiC 650Vショットキーバリアダイオード

Taiwan SemiconductorのSiC MPSダイオードは、効率、信頼性、性能を高める究極のツール

「Taiwan Semiconductorのワイドバンドギャップショットキーバリアダイオード」の画像Taiwan Semiconductorの650V SiC(シリコンカーバイド)ショットキーバリアダイオードは、高効率AC/DC、DC/DC、およびDC/AC変換アプリケーションに適しています。シリコンベースの高速回復整流器とは異なり、これらのSiCデバイスは容量性電荷(QC)が低いため、スイッチング損失は無視できるほどの小ささです。このため、高速スイッチングアプリケーションに適しており、電力密度を高めて回路設計に恩恵をもたらし、ソリューション全体のサイズを縮小できます。

SiCデバイスは、順方向電圧降下が低いショットキーダイオードと、逆降伏電圧が高いP-N接合ダイオードを組み合わせ、電力線、制御ボタン、データケーブルを保護する究極のデバイスとなっています。

特長
  • 最大接合温度:+175°C
  • 高速スイッチング
  • 高周波動作
  • VFの正の温度係数
  • SPICEモデルが利用可能
  • サーマルモデルが利用可能
  • PFC昇圧ダイオード
  • フリーホイールダイオード
  • 全波ブリッジ
  • Viennaブリッジレス回路
応用
  • AC/DC変換、PFC昇圧
  • DC/DC、太陽光発電インバータ
  • データセンターとサーバ電源
  • 電気通信、データ通信電源
  • UPS(無停電電源)システム

Diode Arrays

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Single Diodes

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刊行: 2024-08-07