高密度電源システム向け1,200V低損失ダイオード

Taiwan Semiconductorのダイオードファミリはファミリ複数のパッケージオプションで高電流動作と熱信頼性をサポート

「Taiwan Semiconductorの高密度電力システム向け1200V低損失ダイオード」の画像Taiwan Semiconductorの1,200V低損失ダイオードは、高電圧電力変換システムの効率と信頼性の要求に対応するように設計されています。高電流動作用に設計されたこのダイオードファミリは、DC伝導損失を最小限に抑え、高密度で熱的に厳しい環境における電力効率の向上をサポートします。

定格電流15A~60A、最大接合部温度+175℃のこれらのダイオードは、高い動作条件下でも安定した電気性能を発揮します。その低損失特性は、広い負荷範囲と長い動作寿命にわたって一貫した効率を必要とする最新の電源アーキテクチャに適しています。

多様なシステム要件をサポートするため、1,200V低損失ダイオードシリーズは、ThinDPAK、D2PAK-D、TO-247BDを含む複数のパッケージオプションで提供されます。このようなパッケージの選択により、柔軟な熱管理とレイアウトの最適化が可能になり、設計者は高度なパワー設計において電力密度、冷却戦略、機械的制約間のバランス調整ができるようになります。

特長
  • プレーナ技術
  • 導通損失を低減する低損失ダイオード設計
  • 15A~60Aの高電流対応
  • 最大接合部温度+175°C
  • ThinDPAK、D2PAK-D、TO-247BDパッケージで入手可能
  • RoHS対応、ハロゲンフリー
応用
  • EV充電システム
  • 3相AC/DCコンバータ
  • トーテムポールブリッジレスPFCトポロジ
  • AI/データセンターサーバ用電源
  • テレコム電源システム
  • 高密度産業用電力変換

1,200 V Low-Loss Diodes for High-Density Power Systems

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刊行: 2026-04-03