高出力RF GaNスイッチ
Tagoreの10W~30W CW広帯域スイッチは、高いピーク電力(最大100Wピーク)に対応可能
Tagoreの高出力RF GaNスイッチはコントローラと完全に統合されており、3.3Vまたは5.0V電源を使用してスイッチを使いやすくしています。このような10W~30WのCW広帯域スイッチは、GaASおよびSOIベースのスイッチに比べて高いピーク電力(最大100Wピーク)に対応しながら、低い挿入損失と高い絶縁性を提供できます。
- 低い挿入損失
- 高い絶縁性
- GaAsまたはSOIと比較して高いピーク電力処理(最大100Wピーク)
- ホットスイッチング対応
- 汎用電圧2.6V~5.5V
- 最大7GHzの広帯域性能
- 小型パッケージ
- 3mm x 3mm QFN
- 4mm x 4mm QFN
- インフラ
- 軍事通信無線
- レシーバ保護
- フィルタ/アンテナの調整


