高出力RF GaNスイッチ

Tagoreの10W~30W CW広帯域スイッチは、高いピーク電力(最大100Wピーク)に対応可能

Tagore Technologyが提供する高出力RF GaNスイッチの画像Tagoreの高出力RF GaNスイッチはコントローラと完全に統合されており、3.3Vまたは5.0V電源を使用してスイッチを使いやすくしています。このような10W~30WのCW広帯域スイッチは、GaASおよびSOIベースのスイッチに比べて高いピーク電力(最大100Wピーク)に対応しながら、低い挿入損失と高い絶縁性を提供できます。

特長
  • 低い挿入損失
  • 高い絶縁性
  • GaAsまたはSOIと比較して高いピーク電力処理(最大100Wピーク)
  • ホットスイッチング対応
  • 汎用電圧2.6V~5.5V
  • 最大7GHzの広帯域性能
  • 小型パッケージ
    • 3mm x 3mm QFN
    • 4mm x 4mm QFN
用途・応用
  • インフラ
  • 軍事通信無線
  • レシーバ保護
  • フィルタ/アンテナの調整

High Power RF GaN Switches

画像メーカー品番商品概要入手可能な数量価格詳細を表示
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IC RF SWITCH SP4T 3GHZ 16QFNTS7242FKIC RF SWITCH SP4T 3GHZ 16QFN779 - 即時$2,759.00詳細を表示
刊行: 2020-08-17