SiC MOSFET用のSTGAP2SICSNガルバニック絶縁4Aシングルゲートドライバ

STMicroelectronicsのSiC（シリコンカーバイド）パワートランジスタ用のSTGAP2SICSNガルバニック絶縁シングルチャンネルゲートドライバは、SO8標準パッケージで提供されます。最新のガルバニック絶縁技術を活用して、小さなフットプリントでSiC（シリコンカーバイド）に適した絶縁ドライバを提供し、4.8kVの過渡過電圧の宣言を可能にします。このゲートドライバは4Aの機能を特長とし、最大1700Vの高電圧レールに耐えることができます。dv/dt過渡耐性は全温度範囲で±100V/nsであり、過渡電圧に対する優れた堅牢性を保証します。

このデバイスは2つの構成で利用可能です。これらは、プロジェクト戦略に従って、外部コンポーネントに高い柔軟性と最適化された部品表を提供します。最初のオプションは、独立した抵抗を使用して独立したターンオンとターンオフを最適化するための個別の出力ピンを備えています。2番目の構成は、単一の出力ピンとMiller CLAMP機能を備え、ハーフブリッジトポロジでの高速整流中のゲートスパイクが防止されます。

3.3VまでのCMOS/TTL互換ロジック入力により、マイクロコントローラおよびDSP周辺機器との直接的なインターフェースが保証されます。STGAP2SICSNドライバを使用すると、ユーザーは、SiC MOSFETの値が最適化されたUVLOやサーマルシャットダウンなどの統合保護機能などのおかげで、高信頼性のシステム設計が可能となり、これによって、接合部温度が設定されたしきい値に達した時点で、両ドライバ出力を低くしてハーフブリッジで高インピーダンスを作り出します。

アイドル時の消費電力を抑えるためのスタンバイモードがあります。このSTGAP2SICSNは、電力変換および産業用アプリケーションの中電力および高電力アプリケーションに適しています。STGAP2SICSNはSO8Nパッケージで提供されます。