SiC MOSFET用のSTGAP2SiCSガルバニック絶縁シングルゲートドライバ

STMicroelectronicsのSTGAP2SiCSは、BCD6sテクノロジで製造された高電圧（最大1200V）ゲートドライバです。これは、ゲート駆動チャンネルと低電圧制御およびインターフェース回路の間の6kVガルバニック絶縁に含まれています。これは小型パッケージの6kVガルバニック絶縁ファミリの製品です。デバイス出力は最大4Aまでシンクおよびソースできます。インターロック機能により、交差導通を防止します。このデバイスには、出力ごとに専用の入力ピンがあります。ロジック入力は3.3VまでのCMOS/TTL互換で、制御デバイスと簡単に接続できます。ローサイドとハイサイドのセクション間の遅延が一致しているため、サイクルの歪みがないことが保証され、高周波動作が可能です。このSTGAP2SiCSは2つの異なる構成で入手可能です。分離された出力ピンを備えた構成では、ユーザーは専用のゲート抵抗を使用してターンオンとターンオフを個別に最適化できます。単一の出力ピンとMillerCLAMP機能を備えた構成では、ハーフブリッジトポロジでの高速転流中のゲートスパイクが防止されます。