STGAP2GS/STGAP2GSNシングルチャンネルゲートドライバ

STMicroelectronicsのエンハンスメントモードGaNパワートランジスタ向け窒化ガリウム絶縁シングルチャンネルゲートドライバ

「STMicroelectronics STGAP2GSおよびSTGAP2GSNシングルチャンネルゲートドライバ」の画像STMicroelectronicsのSTGAP2GSおよびSTGAP2GSNは、SO8ワイドおよびSO8スタンダードパッケージのエンハンスメントモードGaNパワートランジスタ向けガルバニック絶縁シングルチャンネルゲートドライバで、最新のガルバニック絶縁技術を利用した小さなフットプリントでGaNに適した絶縁ドライバを提供します。このゲートドライバは、2Aのソースと3Aのシンクの電流能力と、レールツーレール出力が特長で、産業用アプリケーションの電力変換やモータドライバインバータなどの中/高電力アプリケーションに適しています。

dV/dt過渡耐性は全温度範囲で±100V/nsと、電圧過渡に対する優れた堅牢性を確保しています。このデバイスには、シンクとソースを分離した構成オプションが用意されており、独立した抵抗を使用して独立したターンオンとターンオフを最適化するゲート駆動が容易になります。

また、接合温度が設定されたしきい値に達したときにドライバの出力を低くするサーマルシャットダウンや、エンハンスメントモードGaN FET向けに最適化されたレベルのUVLOなどの保護機能が統合されており、高効率で信頼性の高いシステムの容易な設計が実現します。デュアル入力ピンにより、信号極性制御の選択とHWインターロック保護の実装が可能となり、コントローラに不具合がある場合の相互導通を回避できます。

入力から出力までの伝播遅延は45ns以内であり、高いPWM制御精度を実現します。アイドル時の消費電力を下げるためのSTANDBYモードが利用可能です。3.3VまでのCMOS/TTL互換ロジック入力により、マイクロコントローラおよびDSPペリフェラルとの直接的なインターフェース接続が確保されています。

特長
  • 最大15Vのゲート駆動電圧
  • ドライバ電流能力:2A/3Aのソース/シンク
  • dv/dt過渡電圧耐性:±100V/ns
  • 45nsの伝播遅延
  • 簡単なゲート駆動チューニングのための独立したシンク/ソースオプション
  • 3.3V/5Vロジック入力
  • 窒化ガリウム向け最適化されたUVLO機能
  • サーマルシャットダウン保護
  • スタンバイ機能
  • ワイドボディSO-8WパッケージおよびナローボディSO8パッケージ

STGAP2GS/STGAP2GSN Single-Channel Gate Drivers

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刊行: 2023-06-22