STDRIVE601トリプルハーフブリッジ高電圧ゲートドライバ

STMicroelectronicsの高電圧ゲートドライバデバイスは、BCD6sオフライン技術で製造

STMicroelectronicsのSTDRIVE601トリプルハーフブリッジ高電圧ゲートドライバの画像STMicroelectronicsのSTDRIVE601は、BCD6sオフラインテクノロジで製造された高電圧デバイスです。これは、3相アプリケーションに適したNチャンネルパワーMOSFETまたはIGBT用の3つのハーフブリッジゲートドライバを備えたシングルチップです。

すべてのデバイス出力は、それぞれ350mAおよび200mAをシンクおよびソースできます。インターロックとデッドタイム機能により、交差導電の防止が確保されます。

このデバイスには、各出力専用の入力ピンとシャットダウンピンがあります。ロジック入力は、3.3VまでのCMOS/TTL互換で、制御デバイスと簡単に接続できます。ローサイドとハイサイドのセクション間の遅延が一致しているため、サイクルの歪みがないことが保証され、高周波動作が可能です。

STDRIVE601には、デバイスに統合された高度なSmartSD機能を備えたコンパレータが組み込まれているため、過電流、過熱などの障害イベントに対して迅速かつ効果的に保護されます。

ローサイドおよび各ハイサイド駆動セクションの専用UVLO保護により、デバイスは低効率または危険な状態での電源スイッチの動作を防止できます。

統合されたブートストラップダイオードと、このICのすべての統合された機能により、アプリケーションのPCB設計がより簡単に、よりコンパクトに、かつシンプルになり、全体的な部品表が削減されます。このデバイスはSO-28パッケージで入手可能です。

特長
  • 最大600Vの高電圧レール
  • ドライバ電流能力:
    • +25°Cで200mAのソース電流
    • +25°Cで350mAのシンク電流
  • dV/dt過渡耐性:±50V/ns
  • ゲート駆動電圧範囲:9V〜20V
  • 全体の入力〜出力伝播遅延:85ns
  • 両方のチャンネルに対しマッチングした伝播遅延
  • ヒステリシス付き3.3V、5VのTTL/CMOS入力
  • 内蔵のブートストラップダイオード
  • 高速過電流保護のためのコンパレータ
  • スマートシャットダウン機能
  • インターロッキングおよびデッドタイム機能
  • 専用のイネーブルピン
  • ローサイドおよびハイサイドのUVLO機能

用途

  • 三相モータ駆動
  • インバータ

STDRIVE601 Half-Bridge Driver

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IC HALF BRIDGE DRIVER 28SOSTDRIVE601TRIC HALF BRIDGE DRIVER 28SO1990 - 即時$368.00詳細を表示

STDRIVE601 Evaluation Board

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EVAL BOARD FOR STDRIVE601EVALSTDRIVE601EVAL BOARD FOR STDRIVE6011 - 即時$10,606.00詳細を表示
刊行: 2019-08-14