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PWD13F60高密度パワードライバ
STMicroelectronicsの高密度パワーMOSFETを統合したPWD13F60は、さまざまなアプリケーションに使用できます
STMicroelectronicsのPWD13F60は、完全な600V、8Aの統合型パワーMOSFETフルブリッジで、外形13mm x 10mmのサイズにゲートドライバを組み込んでいます。この製品は、産業用モータドライブ、ランプバラスト、電源、コンバータおよびインバータのBOMコストおよび基板スペースを節約します。
ディスクリート部品で作成された同等回路に比べフットプリントは60%も小さく、PWD13F60はエンドアプリケーションの電力密度をブーストします。4つのパワーMOSFETを集積することにより、DCモータ特有の効率的なソリューションを提供します。デュアルFETハーフブリッジや6-FET 3相デバイスのような通常の市販モジュールの真の代替品です。これらと違い、フルブリッジトポロジの実装は1個のPWD13F60だけで済み、内部MOSFETが未使用のままということはありません。
特長
- 設計およびシステム組み立て時にPCBスペースとBOMコストを削減
- 2つのゲートドライバと4つのパワーMOSFETを備えた600Vフルブリッジシステム
- ゲートドライバ内部に組み込まれたブートストラップダイオード
- 熱効率の良いQFNパッケージ
- 露出パッド付き小型QFN（13mm x 10mm）
- 幅広い産業アプリケーションに好適
- 8Aおよび320mΩの組み込みパワーMOSFET
- マイクロコントローラ、DSPユニット、ホール効果センサとの容易なインターフェース接続
- 3.3Vおよび15V互換入力
- 最大限の保護
- 統合されたクロス導通および不足電圧ロックアウト保護
応用
- 産業製品および家電製品のモータドライバ
- ファクトリオートメーション
- ファンおよびポンプ
- HIDバラスト
- 電源ユニット
- DC/DCコンバータおよびDC/ACコンバータ
PWD13F60 High-Density Power Driver
| 画像 | メーカー品番 | 商品概要 | 入手可能な数量 | 価格 | 詳細を表示 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | PWD13F60TR | IC HALF BRIDGE DRVR 8A 28VFQFPN | 2092 - 即時 | $1,305.00 | 詳細を表示 |
|  | EVALPWD13F60 | EVAL BOARD FOR PWD13F60 | 15 - 即時 | $4,664.00 | 詳細を表示 |
刊行： 2018-03-08
日本