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MDmesh™ M9ファミリ 600V～650V MOSFET
電力レベルと電力密度の向上を可能にし、よりコンパクトなソリューションを実現するSTMicroelectronicsのMOSFET
STMicroelectronicsのシリコンベースのM9テクノロジーは、マルチドレイン製造プロセスにより、デバイス構造を強化を可能にします。これにより、シリコン系高速スイッチングスーパージャンクションパワーMOSFETの中でも、低オン抵抗、低ゲート電荷値を実現し、優れた電力密度とずば抜けた効率を必要とするアプリケーションに適しています。
特長
- 現行市販品の中で最も優れた性能指数（RDS(ON) × Qg）を実現
- 650V電圧範囲で業界最高レベルのRDS(ON)を実現。
- 最小のQg
- 逆ダイオードのdv/dtとMOSFETのdv/dtの耐久性を向上
利点
- より高い電力レベル
- 電力密度の向上と導通損失の低減
- 高効率、低スイッチング電力損失
- 高速スイッチング
- 堅牢性と信頼性の向上により、よりコンパクトな設計が可能
MDmesh™ M9 Family 600 V to 650 V MOSFETs
| 画像 | メーカー品番 | 商品概要 | 入手可能な数量 | 料金 | 詳細を表示 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | ST8L65N050DM9 | N CHANNEL 650V 38MOHM TYP 55 A M | 297 - 即時 | $1,386.00 | 詳細を表示 |
| | ST8L65N065DM9 | N-CHANNEL 650V 48MOHM TYP 44 A | 300 - 即時 | $1,143.00 | 詳細を表示 |
|  | STWA60N035M9 | N CHANNEL 600V 32MOHM TYP 62A | 282 - 即時 | $1,484.00 | 詳細を表示 |
|  | STP65N045M9 | N-CHANNEL 650 V, 39 MOHM TYP., 5 | 735 - 即時 | $1,464.00 | 詳細を表示 |
|  | STP65N150M9 | N-CHANNEL 650 V, 128 MOHM TYP., | 408 - 即時 | $882.00 | 詳細を表示 |
|  | STD65N160M9 | N-CHANNEL 650 V, 132 MOHM TYP., | 1296 - 即時 | $650.00 | 詳細を表示 |
更新日： 2026-01-20
刊行： 2023-03-09
