600V MDMesh™ DM2 MOSFET

STMicroelectronicsは、産業用アプリケーション向けに600V MDmesh DM2 MOSFETを提供

STMicroelectronicsが提供する600V MDmesh DM2 MOSFETの画像STMicroelectronicsが提供する最新の高効率高速リカバリダイオードMOSFETシリーズは、非常に低い回復電荷(Qrr)および回復時間(trr)を特長としており、高スイッチング性能を必要とする高電圧フルブリッジおよびハーフブリッジトポロジ向けに最適化されています。 また、これらの600Vデバイスは、超低Qg、非常に低いCoss/Ciss、非常に低いオン状態抵抗、およびdv/dtに対する高い耐性を特長としています。

主な特長
  • 高速リカバリボディダイオード
  • 非常に低いゲート電荷および入力静電容量
  • 低オン抵抗
  • 非常に低い回復電荷(Qrr)および回復時間(trr
  • 100%のアバランシェテスト済み
  • dv/dtに対する非常に高い耐性
  • ツェナー保護

600 V MDmesh DM2 MOSFETS

画像メーカー品番商品概要入手可能な数量価格詳細を表示
MOSFET N-CH 600V 24A TO247STW33N60DM2MOSFET N-CH 600V 24A TO247508 - 即時$962.00詳細を表示
MOSFET N-CH 650V 48A TO247STW56N65DM2MOSFET N-CH 650V 48A TO247917 - 即時$1,702.00詳細を表示
MOSFET N-CH 600V 12A TO220STP18N60DM2MOSFET N-CH 600V 12A TO220880 - 即時$302.00詳細を表示
MOSFET N-CH 600V 12A D2PAKSTB18N60DM2MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK1212 - 即時$482.00詳細を表示
MOSFET N-CH 600V 12A TO247STW18N60DM2MOSFET N-CH 600V 12A TO247602 - 即時$574.00詳細を表示
刊行: 2016-02-24