SiT8008B低電力MEMS発振器

SiTimeは、水晶発振器より優れた性能で、低電力性能とMEMS耐久性を備えたSiT8008Bを提供

SiTimeが提供するSiT8008B低電力MEMS発振器の画像SiTimeのSiT8008Bシリーズ MEMSベースの発振器は、業界で最も低電力のプログラム可能発振器です。この製品は、民生用、ネットワーキング、産業用、およびその他のアプリケーション向けの最も広い周波数範囲、最小の消費電力、最小サイズ、最高の安定性、および最短のリードタイムを特長としています。SiT8008Bシリーズ 製品には、特定のアプリケーション向けに立ち上がり/立ち下がり時間を最適化するプログラム可能な駆動強度機能が含まれます。プログラム可能な駆動強度機能からの利点には、EMI性能の向上、ジッタの低減、大容量性負荷の駆動能力が含まれます。

SiTimeのTime Machine IIプログラマで使用する時に、SiT8008B発振器はフィールドでプログラム可能です。このプログラマは、フィールドプログラム可能発振器を、正確な仕様に秒単位で容易に構成することができます。設計者は、周波数、電圧、安定性、およびMEMS発振器の特別な機能(調整可能な立ち上がりと立ち下がり時間など)を構成することができ、より迅速な設計時間と最適化されたシステム性能が得られます。

SiTimeのTime Machine IIプログラマ

構成可能な立ち上がり/立ち下がり時間で、EMIチャートを低減

特長および利点
  • 最適なシステム性能のために仕様をカスタマイズ
  • 構成可能な機能セット:
    • 小数点以下6桁の精度で1MHzから110MHzの間の任意の周波数
    • ±20ppm~±50ppmの安定度
    • 産業用または拡張された商用温度
    • 1.8Vまたは2.5V〜3.3Vの電源電圧
  • すべての周波数、電圧、および安定性のための小型2016および2520パッケージ
  • 環境に優しいシステム向けに消費電力を低減
  • ポータブルアプリケーションでのバッテリ寿命を延長
  • SoftEdgeTM構成可能駆動強度
  • 不足リスクを軽減
  • 低消費電力:
    • 1.2μA標準のスタンバイ電流(1.8 V)
    • 3.6mA標準のアクティブ電流(1.8V)
  • 在庫オーバーヘッドを低減
  • 複数の負荷を駆動し、追加のタイミングコンポーネントを排除することでコストを節約
  • 発振器からのEMIを最小限に抑える低速の立ち上がり/立ち下がり時間
  • 性能と可用性を損なうことなく、より多くの基板スペースを節約
  • 多くの設計向けに同じベースデバイスを使用し、認定ニーズを低減
応用
  • Ethernet
  • ファイヤワイヤ
  • USB
  • オーディオ
  • ビデオ
  • SATA/SAS
  • ファイバチャンネル
  • ソリッドステートドライブ(SSD)
  • ストレージサーバ
  • コンピュータサーバ
  • プロセッサクロッキング
  • FPGAクロッキング
  • ネットワーキングスイッチおよびゲートウェイ
  • CCTVおよび監視機器
  • 産業用プローブおよび機器
  • 医療機器

SiT8008B Low-Power MEMs Oscillators

画像メーカー品番商品概要入手可能な数量料金詳細を表示
MEMS OSC XO 100.0000MHZ H/LVCMOSSIT8008AC-11-18E-100.000000MEMS OSC XO 100.0000MHZ H/LVCMOS0 - 即時
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MEMS OSC XO 24.0000MHZ H/LV-CMOSSIT8008AC-11-18E-24.000000MEMS OSC XO 24.0000MHZ H/LV-CMOS0 - 即時
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MEMS OSC XO 25.0000MHZ H/LV-CMOSSIT8008AC-11-18E-25.000000MEMS OSC XO 25.0000MHZ H/LV-CMOS0 - 即時
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MEMS OSC XO 26.0000MHZ H/LV-CMOSSIT8008AC-11-18E-26.000000MEMS OSC XO 26.0000MHZ H/LV-CMOS0 - 即時
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MEMS OSC XO 27.0000MHZ H/LV-CMOSSIT8008AC-11-18E-27.000000MEMS OSC XO 27.0000MHZ H/LV-CMOS0 - 即時
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MEMS OSC XO 50.0000MHZ H/LV-CMOSSIT8008AC-11-18E-50.000000MEMS OSC XO 50.0000MHZ H/LV-CMOS0 - 即時
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刊行: 2017-05-16