SiT5359高周波・高精度MEMS Super-TCXO

SiTimeの発振器は、0°C~+70°Cまで±50ppbの安定性が得られるように最適化を実現

SiTimeのSiT5359高周波・高精度MEMS Super-TCXO の画像SiTimeのSiT5359 MEMS発振器は、0℃~+70℃まで、±50ppbの安定性を実現するように最適化された高精度MEMS Super-TCXOです。このデイバイスは、-40°C~+105°Cまでの広い温度範囲で±100ppbの安定性を提供します。動的性能を実現するために設計されたこの製品は、高信頼性を求められるテレコム、ワイヤレス、ネットワーキング、産業用、高精度GNSS、オーディオ/ビデオなどのアプリケーションに最適です。SiTime独自のDualMEMS™温度検出およびTurboCompensation™テクノロジーを大いに活用したSiT5359 MEMS発振器は、空気の流れ、温度摂動、振動、衝撃、電磁干渉などの環境ストレスに対してタイミング安定性のための動的性能を提供します。このデバイスは、電源ノイズをフィルタリングする複数のオンチップレギュレータを内蔵しているため、専用の外付けLDOを必要としません。

SiT5359発振器は、DigiKeyによって、周波数、電圧、プルレンジの組み合わせを自由にカスタムプログラムすることができます。このような事前プログラムを利用することにより、設計者は、周波数ごとにカスタムビルドされるクオーツデバイスに必要な長いリードタイムとカスタマイズコストを排除しつつ、クロック構成を最適化することができます。

特長
  • 1Hz単位で60.000001MHz〜189MHz、および208MHz〜220MHzを出力
  • オプションで出荷時にプログラム可能なため、短いリードタイムを実現
  • アクティビティディップまたはマイクロ分岐なし
  • 衝撃、振動、および基板の曲げへの耐性
  • レギュレータを内蔵しているため、外付けLDOが不要
  • 空気流や熱衝撃に対する動的安定性
    • 0°C〜+70°Cの温度で±50ppbの安定性
    • ±1ppb/℃の標準周波数スロープ(ΔF/ΔT)
    • 1.5e-11 ADEV(平均化時間10秒)
  • 電源電圧:2.5V、2.8V、3.0V、3.3V
  • LVCMOS出力
  • RoHSおよびREACH対応
  • 鉛フリー、ハロゲンフリー、アンチモンフリー
  • I²Cを介したデジタル周波数引き込み(DCTCXO)
    • 出力周波数とプルレンジのデジタル制御
    • 最大±3200ppmのプルレンジ(引き込み範囲)
    • 5pptまでの周波数プル分解能
応用
  • 4G/5G無線、スモールセル
  • IEEE1588境界クロックおよびグランドマスタークロック
  • キャリアグレードのルータとスイッチ
  • 同期Ethernet(シンクロナスイーサネット)
  • 光伝送:SONET/SDH、OTN、Stratum 3
  • DOCSIS 3.xリモートPHY
  • GPS制御発振器
  • 高精度GNSSシステム
  • テストと測定

SiT5359 Oscillator

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MEMS OSC TCXO 100.0000MHZ LVCMOSSIT5359AC-FR-33VT-100.000000MEMS OSC TCXO 100.0000MHZ LVCMOS0 - 即時
1838 - 工場在庫品
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刊行: 2021-05-12