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RY7P250BM NチャンネルMOSFET
堅牢な設計によりホットスワップコントローラに最適なROHM SemiconductorのパワーMOSFET
ROHM SemiconductorのRY7P250BMは、低オン抵抗で設計され、ハイパワーのDFN8080-8Sパッケージに収められたNチャンネルパワーMOSFETです。このコンポーネントは、堅牢な設計と広い安全動作領域（SOA）を備えており、特にホットスワップコントローラ（HSC）などの要求の厳しいアプリケーションに最適です。
特長
- 低オン抵抗
- 高出力パッケージ（DFN8080）
- 鉛フリーめっき、RoHS対応
- ハロゲンフリー
- 100%のRGおよびUIS試験済み
- ワイドSOA
応用
- 48V AIサーバシステムとデータセンターの電源ホットスワップ回路
- 48V産業機器電源システム（フォークリフト、電動工具、ロボット、ファンモータ）
- AGV（無人搬送車）などのバッテリ駆動型産業機器
- UPSおよび非常用電源システム（バッテリバックアップユニット）
更新日： 2025-07-09
RY7P250BM N-Channel FET
| 画像 | メーカー品番 | 商品概要 | FETタイプ | 技術 | ドレイン～ソース間電圧（Vdss） | 入手可能な数量 | 価格 | 詳細を表示 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | RY7P250BMTBC | NCH 100V 300A DFN8080-8S WIDE | Nチャンネル | MOSFET（金属酸化物） | 100 V | 0 - 即時 | $1,341.00 | 詳細を表示 |
刊行： 2025-06-18
日本