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RGWxx65Cシリーズ SiCダイオード内蔵ハイブリッドIGBT
ROHMの「RGWxx65C」シリーズは、IGBTのフリーホイールダイオードにSiC SBDを採用
RGWxx65Cシリーズは、IGBTの帰還部（還流ダイオード）にROHMの低損失SiCショットキーバリアダイオード（SBD）を採用し、回復エネルギーがほとんどないフリーホイールダイオードとすることで、ダイオードのスイッチング損失を大きく削減しています。また、ターンオン時にIGBTがリカバリ電流を処理する必要がないため、従来のIGBTに使用されていたシリコン高速リカバリダイオード（FRD）に比べて、IGBTのターンオン損失を大幅に低減することができます。この2つの効果により、自動車用充電器に使用した場合、従来品IGBTに比べて最大67％、スーパージャンクションMOSFET（SJ MOSFET）に比べて24％の低損失化を実現しました。この効果により、優れたコストパフォーマンスが得られると同時に、産業用および自動車用アプリケーションの低消費電力化に貢献します。
特長
従来のIGBTと比較して損失を67%低減し、一般的な自動車用電気制御ユニットや産業用機器に最適なコストパフォーマンスを提供します。
RGWxx65C Series Hybrid IGBTs with Built-In SiC Diode
| 画像 | メーカー品番 | 商品概要 | 入手可能な数量 | 価格 | 詳細を表示 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | RGW00TS65CHRC11 | IGBT 650V 96A TO-247N | 202 - 即時 | $2,476.00 | 詳細を表示 |
| | RGW60TS65CHRC11 | IGBT 650V 64A TO-247N | 342 - 即時 | $2,340.00 | 詳細を表示 |
| | RGW80TS65CHRC11 | IGBT 650V 81A TO-247N | 357 - 即時 | $2,408.00 | 詳細を表示 |
|  | RGW00TK65DGVC11 | IGBT TRENCH FS 650V 45A TO-3PFM | 425 - 即時 | $1,379.00 | 詳細を表示 |
| | RGW00TK65GVC11 | IGBT TRENCH FS 650V 45A TO-3PFM | 0 - 即時 | $512.77 | 詳細を表示 |
刊行： 2021-09-27
