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RA1C030LDT5CL MOSFET
独自の絶縁構造で高効率と安全動作に貢献するROHMのMOSFET
RA1C030LDは、ROHM独自のICプロセスにより低電力散逸化と小型化を実現したDSN1006-3 WLCSP（ウェハレベルチップサイズパッケージ、1.0mm × 0.6mm）で提供されます。導通損失とスイッチング損失の関係を表す特性値（オン抵抗 × Qgd）では、同一パッケージの標準品（1.0mm × 0.6mm以下）に対して20％低減した業界トップレベルの値を達成し、基板面積の大幅な縮小と各種小型機器の高効率化に貢献します。同時に、ROHM独自のパッケージ構造により、側壁の絶縁保護も実現しています（同一パッケージで保護がない標準品とは異なります）。これにより、スペースの制約から高密度実装が求められる小型機器において、部品同士の接触による短絡のリスクを低減し、より安全な運用に貢献します。
応用
- ワイヤレスイヤホン
- スマートフォン
- ウェアラブル
- スマートウォッチ
- アクションカメラ
RA1C030LDT5CL MOSFET
| 画像 | メーカー品番 | 商品概要 | 入手可能な数量 | 料金 | 詳細を表示 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | RA1C030LDT5CL | NCH 20V 3.0A, SMM1006, SMM1006: | 13262 - 即時 | $103.00 | 詳細を表示 |
刊行： 2023-01-10
日本