MR45V100A 1MビットFeRAMメモリIC

ROHMのMR45V100A 1Mビット強誘電体ランダムアクセスメモリ（FeRAM）は、スマートメータ、測定機器、医療機器、および緊急時にログデータの高速かつ頻繁な取得や高速データバックアップを必要とする金融端末などのアプリケーション向けに設計されています。EEPROMやフラッシュなどの他の不揮発性メモリに比べ、FeRAMは、より高速のデータ書き換え、より高い書き換え耐久性、そしてより低い消費電力を特長としています。

MR45V100Aは、SPIバスを介して1.8V〜3.6Vの広い電源電圧範囲で40MHzの高速動作を提供します。1Mビットの大容量により、不安定な電源環境での急激な電圧降下時でも安定した高速性能が確保され、設置機器の高速バックアップ時の信頼性が向上します。またMR44V100Aは、高速動作を必要としないアプリケーションに適したI²Cバスインターフェースを備えています。

加えて、モバイルアプリケーションを念頭に置いて、メモリ容量を増やすときに発生する消費電力の上昇を抑えるためにスタンバイモードが改良されたほか、さらに消費電力を削減するためにスリープモードが実装されました。この結果、10µA（平均）という低スタンバイ電流とわずか0.1µA（平均）のスリープ電流が実現され、承認端末やデータロガーなど、バッテリ駆動時間を重視するポータブルデバイスやハンディターミナルに最適な製品になりました。