BV1LE/BM2LEパワースイッチ/ドライバ

ROHMのBV1LExxxEFJ-CおよびBM2LExxxFJ-Cファミリは、抵抗性、容量性、誘導性などあらゆるタイプの負荷に対して電流を切り替えることができるインテリジェントローサイドデバイスです。誘導性負荷をオフにするとき、スマートスイッチ内のパワーMOSFETは、インダクタの磁場に蓄えられたすべての磁気エネルギーを放散する必要があります。この間、デバイスは電圧を安全なレベルにアクティブにクランピングすることで自身を保護します。電力が消費されると熱が発生し、統合されたパワーMOSFETの表面に分散されます。

ROHMの製品は、独自のTDACC^™回路およびデバイス技術により通電チャンネル数を最適に制御することで、発熱抑制と小型化が困難な低オン抵抗を両立させています。TDACCは、小型のSOP-J8パッケージで2チャンネル40mΩ（オン抵抗）の製品を可能にし、集積度を高めています。

1チャンネル構成でも2チャンネル構成でも幅広いON抵抗値（40mΩ/80mΩ/160mΩ/250mΩ）をラインナップし、お客様の多様なニーズにお応えします。さらに、ファミリ内のすべての製品の接触放電耐性は、他の標準製品よりも高くなっています。これにより、様々な電子機器の内部で、より安全な動作を実現しています。

特長

• パッケージ：
• HTSOP-J8（4.9mm x 6.0mm x 1.0mm）
• SOP-J8（4.9mm x 6.0mm x 1.65mm）