ROHM Semiconductor - ロームセミコンダクタ

BV1HB045EFJ-Cハイサイドスイッチ

ROHM SemiconductorのBV1HB045EFJ-C 車載用IPDシリーズは、電流センシング機能内蔵の1chハイサイドスイッチ

ROHM SemiconductorのBV1HB045EFJ-Cハイサイドスイッチの画像ROHM SemiconductorのBV1HB045EFJ-C車載用1chハイサイドスイッチは、低電力出力オフ機能、オープン負荷検出機能、サーマルシャットダウン保護機能、過電流制限機能を内蔵しています。このデバイスは、出力負荷電流を測定することができます。

特長
  • 電流センシング機能内蔵
  • デュアルTSD内蔵（注：2種類の温度保護機能を内蔵。パワーMOSの急激な温度上昇を検出する接合部温度保護とΔTj保護の2種類）
  • AEC-Q100適合（注：グレード1）
  • 過電流保護（OCP）機能内蔵
  • サーマルシャットダウン（TSD）保護機能内蔵
  • オープン負荷検出機能内蔵
  • 低電圧出力オフ（UVLO）機能内蔵
  • 診断出力内蔵
  • 低オン抵抗シングルNチャンネルMOSFETスイッチ
  • 制御ユニット（CMOS）とパワーMOSFETを1つのチップに搭載したモノリシック電源管理IC
主な仕様
  • 電源動作範囲：6V～28V
  • オン抵抗（Tj＝+25°C）45 mΩ（標準）
  • 過電流制限：21.0A（最小）
  • スタンバイ電流（TT= +25°C）：0.5μA（最大）
  • アクティブクランプ許容差（Tj= +25°C）：130mJ
応用
  • 抵抗負荷インダクタンスと静電容量負荷

BV1HB045EFJ-C High Side Switch

画像メーカー品番商品概要入手可能な数量価格詳細を表示
BUILT-IN CURRENT SENSING FUNCTIOBV1HB045EFJ-CE2BUILT-IN CURRENT SENSING FUNCTIO3218 - 即時$211.00詳細を表示
刊行： 2024-09-23

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