BV1HB008EFJ-Cハイサイドインテリジェントパワーデバイス（IPD）

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            BV1HB008EFJ-Cハイサイドインテリジェントパワーデバイス（IPD）
                    ROHMのハイサイドIPDは、保護と診断を統合した信頼性の高い12V負荷制御を実現
    

「ROHM SemiconductorのBV1HB045EFJ-Cハイサイドスイッチ」の画像 ROHMのBV1HB008EFJ-Cシングルチャンネル9mΩハイサイドIPDは、過電流負荷保護、内部の熱過渡現象を制限しICの機械的ストレスを低減するデュアル温度シャットダウン機構、誘導性負荷をスイッチオフしながら磁気エネルギーを散逸させ、過電圧サージから内部回路を保護するスマートアクティブクランプ回路を統合しています。組み込み電流センスと診断機能により、オンとオフの両方の状態で、リアルタイムの負荷電流情報と開放または短絡フィードバックを提供します。3Vおよび5VのCMOS互換入力ピンは、特別なインターフェースやレベルシフタなしでマイクロコントローラに直接接続できます。これらが広い入力電圧範囲と結び付くことで、ハイサイドIPDは12Vバッテリ接続の車載用アプリケーションに適した高性能部品となっています。