AW2K21超小型低オン抵抗30V NチャンネルMOSFET

RohmのパワーMOSFETは、USB VBUS保護、バッテリ保護、およびロードスイッチに最適

「Rohm SemiconductorのAW2K21超小型低オン抵抗30V NチャンネルMOSFET」の画像 ROHMのAW2K21は、業界トップクラスの超低オン抵抗2.0mΩ(標準)を実現した30V NチャンネルMOSFETで、超小型の2.0mm x 2.0mmパッケージに収納されています。共通ソース構成を採用したこのデバイスは、ソース端子を共有する2つのMOSFETを統合し、単一のコンポーネントで効率的な双方向回路保護を実現します。この設計は、従来の電源供給回路が2つのディスクリートMOSFETを必要とするのに対し、基板スペースを大幅に削減するため、AW2K21はUSB高速充電やその他の高電流ポータブルアプリケーションに最適です。AW2K21は、ピン接続を調整することで標準的な単一MOSFETとして機能しつつ、優れた性能を維持することができます。その超低オン抵抗は、小型化を支援するだけでなく、エネルギー効率の向上にも寄与し、同じサイズクラスの他のGaN HEMTと比べて優れた性能を実現します。

特長
  • Nチャンネル共通ソースMOSFET
  • 高出力小型パッケージ
  • 鉛フリーリードメッキ、RoHS対応
  • ハロゲンフリー
  • 低オン抵抗
  • ウェハーレベルチップサイズパッケージ(WLCSP)
  • 裏面コーティング
応用
  • スマートホン
  • 仮想現実(VR)用ヘッドセット
  • 小型プリンタ
  • タブレット
  • ウェアラブル
  • LCDモニタ
  • ラップトップ
  • ポータブルゲーム機
  • ドローン
  • 急速充電機能搭載のアプリケーション

AW2K21 Ultra-Compact Low-ON-Resistance 30 V N-Channel MOSFET

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刊行: 2025-08-12