Renesas Electronics Corporation

M1000/M3000シリーズ MRAM

Renesasの高速、高性能、不揮発性MRAMは優れた信頼性を提供

Renesas M1000/M3000シリーズ MRAMの画像RenesasのMRAMファミリの高速高性能108MHz不揮発性RAMは、優れた信頼性と20年を超えるデータ保持期間を実現します。不揮発性SRAMと比較して、バックアップバッテリやコンデンサは必要ありません。M30xxはクワッドSPI SDRおよびDDRインターフェースをサポートし、-40°C～+105°C（インダストリアルプラスバージョン）で動作し、SOICまたはWSONパッケージで提供されます。MRAMデバイスは、プログラムストレージやデータバックアップなどの高速な不揮発性メモリアプリケーションに最適です。

特長
  • 不揮発性メモリ
  • 高い耐久性：>10E16サイクル
  • 長いデータ保持期間：>20年
  • 高速読み取りおよび書き込み性能、待機時間なしの書き込み
  • ハードウェア保護モード（HPM）、ユーザーがプログラム可能/ロック可能な特殊NVM、およびソフトウェア保護モード（SPM）によるデータ保護
  • バッテリのバックアップは不要
  • 高度なpMTJ STT-MRAMテクノロジを利用
  • メモリ密度：4Mb～16Mb
  • 高速クワッドSPIインターフェース、最大108MHz SDRモード
  • 最も低いアクティブな書き込みおよび読み取り電流
  • 独立した256バイトのユーザープログラム可能/ロック可能NVM
  • 産業用動作温度範囲：-40°C～+105°C
  • 電源電圧：1.8V、3V
  • パッケージ：8ピンSOICおよび8パッドWSON
応用
  • 産業用制御およびオートメーション
  • 医療機器
  • ウェアラブル
  • ネットワークシステム
  • ストレージ/RAID
  • 車載用

MRAM Microcontroller

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刊行： 2020-06-17

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