Qorvo

QPD1011A 7W窒化ガリウムRF入力マッチドトランジスタ

Qorvoの広帯域GaN-on-SiC HEMTは、30MHz～1,200MHzのRFアプリケーション向けの設計

「QorvoのQPD1011A 7W窒化ガリウムRF入力マッチドトランジスタ」の画像QorvoのQPD1011Aは、30MHz～1,200MHzのRF電源アプリケーション向けに設計されたディスクリートGaN-on-SiC HEMTです。この製品は、50Ωインピーダンスの入力マッチングネットワークを搭載し、設計の簡素化と安定した性能を実現します。このデバイスは、CWとパルスの両方の動作をサポートしており、要求の厳しいRF環境に適しています。

50Vのドレイン電圧、1GHzで8.7Wの標準出力電力を備えたQPD1011Aは、高い効率とゲインを実現します。その低熱抵抗パッケージは、高電力条件下での信頼性の高い動作を保証します。6mm x 5mmの小型リードレスSMTパッケージは、ハンドヘルド無線機やレーダシステムなど、スペースに制約のある設計に最適です。

特長
  • 周波数範囲：30MHz～1,200MHz
  • 出力電力（P3dB）：1GHzで8.7W
  • 標準的な電力付加効率（PAE）：1GHzで60%
  • リニアゲイン：～21dB
  • 動作電圧：50V、CWおよびパルス対応
  • 小型6mm x 5mmリードレスSMTパッケージ、RoHS対応
応用
  • 軍用および民生用レーダーシステム
  • 陸上移動通信および軍用無線通信
  • 広帯域および狭帯域RFパワーアンプ
  • 高い直線性が要求されるテスト装置
  • 電子対策システム（妨害装置）

QPD1011A 7 W GaN RF Input-Matched Transistor

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新製品
7W, 30-1200 MHZ, GAN RF INPUT-MA		QPD1011ASR7W, 30-1200 MHZ, GAN RF INPUT-MA100 - 即時$9,314.00詳細を表示
新製品
7W, 30-1200 MHZ, GAN RF INPUT-MA		QPD1011ATR77W, 30-1200 MHZ, GAN RF INPUT-MA0 - 即時$5,898.67詳細を表示

Evaluation Board

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新製品
EVAL BOARD FOR 7W, 30-1200 MHZ,		QPD1011AEVBEVAL BOARD FOR 7W, 30-1200 MHZ,トランジスタ100MHz～1GHzボード0 - 即時$138,231.00詳細を表示
刊行： 2025-12-08