Qorvo

QPD1004A 25W GaN RF入力整合トランジスタ

Qorvoのトランジスタは広帯域RFパワーアプリケーション向けに30MHz～1,200MHz、50VのGaN-on-SiCで設計

<img src="//sc-a.digikeyassets.com/-/media/Images/Product%20Highlights/Q/Qorvo/QPD1004A%2025%20W%20GaN%20RF%20Input%20Matched%20Transistor/qorvo-qpd1004a-200.jpg?la=en&ts=f1a7ffc2-954c-49f5-b340-95c1d0b2cceb" class="right"" _languageinserted="true" alt="画像：QorvoのQPD1004A 25W GaN RF入力整合トランジスタ" />QorvoのQPD1004Aは、高効率と広帯域性能を必要とするRF電力アプリケーション向けに設計されたディスクリート GaN-on-SiC HEMTです。30MHz～1,200MHzで動作し、1GHzで最大40Wの出力電力を73%の標準電力付加効率（PAE）で供給します。このデバイスは、50Ωインピーダンスの入力マッチングネットワークを内蔵しており、設計を簡素化し、外付け部品点数を削減します。

6mm x 5mmの小型のリードレスSMTパッケージに収められたQPD1004Aは、連続波（CW）とパルス動作の両方をサポートします。その低熱抵抗パッケージは、厳しい条件下での信頼性を高め、レーダ、通信、試験計測システムに適しています。

特長
  • 周波数範囲：30MHz～1,200MHz
  • 出力電力（P3dB）：40W（1GHz時）
  • 標準線形ゲイン：20.8dB（1GHz時）
  • 標準PAE：73%（1GHz時）
 
  • 動作電圧：50V
  • 50Ωにマッチングされた入力
  • 低熱抵抗：6mm x 5mm SMTパッケージ
  • CWおよびパルス動作をサポート
応用
  • 軍用および民生用レーダシステム
  • 陸上移動通信および軍用無線通信
  • 広帯域および狭帯域RFパワーアンプ
 
  • テストおよび計測機器
  • 電子対抗手段（EMC）と妨害システム

QPD1004A 25 W GaN RF Input-Matched Transistor

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刊行： 2025-12-03