第1.5世代SiCショットキーバリアダイオード

PANJITの第1.5世代SiC（シリコンカーバイド）ショットキーバリアダイオード（SBD）は、電気技術者がより低い熱放散でより高性能なシステムを設計するために開発されました。ファストリカバリーダイオード（FRD）は、ターンオフ動作時にある程度の逆回復電流が発生するため、主スイッチをオンにしたとき、さらにスイッチング損失が生じます。これに対して、ショットキーバリアダイオードは逆回復電流がないため、より高いスイッチング周波数で使用できますが、リークが大きくなるため、降伏電圧が低くなるという欠点があります。SiCデバイスはシリコンデバイスに比べてバンドギャップエネルギーが高く、リーク電流が非常に少なくなります。さらに、SiCデバイスは電子速度も高く、シリコンデバイスよりも優れたスイッチング性能を発揮します。

PANJITのSiC SBD第1.5世代製品は、順方向電圧（V_F）の温度依存性が低く、高温動作時の導通損失を抑制できるように最適化されています。‎ また、金属コンタクト部にP＋層を追加したJBS（Junction Barrier Schottky、接合障壁ショットキー）構造になっています。その結果、サージ電流容量を大幅に向上させることができ、冷温始動時のシステムレベルの信頼性を確保するのに役立ちます。‎ PANJITのSiC SBD第1.5世代製品は、降伏電圧が650Vと1200V、定格電流4A～40A、パッケージタイプTO-220AC、TO-252AA、TO-247AD-3LDなど各種ディスクリートパッケージをラインアップしています。